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文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电路
  • 2篇湿法
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇阻挡层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇集成电路
  • 2篇二极管
  • 1篇定制
  • 1篇宇航
  • 1篇预紧
  • 1篇双层布线
  • 1篇双阈值
  • 1篇陶瓷外壳
  • 1篇统计过程
  • 1篇统计过程控制
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇屏蔽
  • 1篇屏蔽方法
  • 1篇总剂量
  • 1篇阈值

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 8篇孔明
  • 4篇刘旸
  • 4篇唐冬
  • 3篇刘昕阳
  • 2篇林洪春
  • 2篇马洪江
  • 2篇赵鹤然
  • 1篇吴会利
  • 1篇刘庆川
  • 1篇刘洪涛
  • 1篇张妍垚
  • 1篇徐衡
  • 1篇白羽
  • 1篇杜海军
  • 1篇申猛
  • 1篇赵子健
  • 1篇张鹏远

传媒

  • 3篇微处理机

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤:a、腐蚀导电层及阻挡层,形成多个被腐蚀单元;b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层;c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分,使被腐蚀单...
唐冬刘旸马洪江孔明林洪春刘昕阳
文献传递
一种宇航级集成电路总剂量屏蔽方法及抗辐照加固效果验证方法
本发明公开了一种宇航级集成电路总剂量屏蔽方法及抗辐照加固效果验证方法,属于集成电路技术领域。该方法包括以下步骤:(1)组装工艺设计,针对加固设计中最核心的耐受温度,开展芯片选型和粘片、键合、密封工艺设计;(2)外壳设计,...
赵鹤然孔明邢泽全刘庆川杜海军张妍垚
文献传递
SPC研究及其在芯片制造工艺中的应用被引量:1
2015年
统计过程控制(SPC)技术是集生产技术与科学管理于一体的现代工艺质量管理技术。在企业生产过程中,SPC是生产过程控制的有效手段和工具。SPC作为一种过程控制方法,运用数理统计概率论的原理,应用统计方法对过程中的各个阶段进行监控,可及时发现生产过程中的异常情况。
张鹏远孔明赵子健
关键词:统计过程控制控制图
高阻衬底CMOS外延工艺研究
2013年
针对于高阻衬底、高阻外延工艺与常规CMOS工艺的兼容性进行研究,主要讨论了CMOS外延工艺中确定有效外延层厚度的实验过程。
刘旸唐冬孔明
一种对集成电路增加抗辐射涂层的夹具
本实用新型公开了一种对集成电路增加抗辐射涂层的夹具,属于集成电路用夹具技术领域。该夹具包括由下至上依次装配的底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具,所述底面喷涂夹具、限位板和正面喷涂夹具均为矩形板状结构,其上均开设若干个用于...
刘洪涛赵鹤然李靖旸康敏孔明
双层布线技术研究
2014年
随着集成电路技术的发展,双层布线技术显得越来越重要。主要对双层布线中二次金属淀积前的通孔预处理技术进行了研究和探索,通过对反溅射时间、反溅射功率等不同工艺参数的对比实验,给出了最优的反溅射清洗工艺条件。
申猛孔明吴会利
关键词:双层布线欧姆接触
二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤:a、腐蚀导电层及阻挡层,形成多个被腐蚀单元;b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层;c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分,使被腐蚀单...
唐冬刘旸马洪江孔明林洪春刘昕阳
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双阈值VDMOS器件的制作方法
本发明公开了一种双阈值VDMOS器件的制作方法,属于分立器件技术领域。该方法通过对P体区的形成过程进行改进,获得具有两个阈值电压的VDMOS器件,P体区改进工艺:制备多晶硅栅极后,光刻P‑离子注入窗口,在栅极两侧形成两个...
唐冬刘旸刘昕阳白羽徐衡孔明郑阳
文献传递
共1页<1>
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