徐坤 作品数:8 被引量:5 H指数:1 供职机构: 辽宁师范大学 更多>> 发文基金: 辽宁省博士科研启动基金 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 一般工业技术 理学 语言文字 更多>>
合作学习在高职英语词汇教学中的应用研究 本论文旨在探讨“合作学习”在高职英语词汇教学中的应用。“合作学习”是一种以小组活动为主的课堂教学模式,强调以学生为中心。教师担任组织者、指导者、合作者、监控者的角色,把全班分成几个合作学习小组,每组2—6人不等,共同完成... 徐坤关键词:高职英语 词汇教学 调查问卷 文献传递 通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法及其装置 一种通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法:取纯度大于99.9%的锌源,称重后将锌源放入石英舟内,在锌源的下游方向0.5-4cm处设置上金属片和下金属片,外加电压为5-50V,将清洗干净的衬底放置到下金属片上,向石英舟... 冯秋菊 唐凯 徐坤 梅艺赢 李梦轲文献传递 自催化生长大尺寸β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>微米线的方法 本发明公开一种无需催化剂,操作简单、重复性好,可降低制作成本且减少衬底污染,利于后期纳米器件制作的自催化生长大尺寸β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>微米线的方法,按如下步骤进行:将纯度至少为99%... 冯秋菊 刘佳媛 徐坤 杨毓琪 潘德柱 李梦轲文献传递 衬底位置对化学气相沉积法制备的磷掺杂p型ZnO纳米材料形貌和特性的影响 被引量:1 2014年 采用化学气相沉积方法,在无催化剂的条件下,通过改变衬底位置在Si(100)衬底上制备出了高取向的磷掺杂ZnO纳米线和纳米钉.测试结果表明,当衬底位于反应源上方1.5 cm处时,所制备的样品为钉状结构,而当衬底位于反应源下方1 cm处时样品为线状结构.对不同形貌磷掺杂ZnO纳米结构的生长机理进行了研究.此外,在ZnO纳米结构的低温光致发光谱中观测到了一系列与磷掺杂相关的受主发光峰.还对磷掺杂ZnO纳米结构/n-Si异质结I-V曲线进行了测试,结果表明,该器件具有良好的整流特性,纳米线和纳米钉异质结器件的开启电压分别为4.8和3.2 V. 冯秋菊 许瑞卓 郭慧颖 徐坤 李荣 陶鹏程 梁红伟 刘佳媛 梅艺赢关键词:化学气相沉积 通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法及其装置 一种通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法:取纯度大于99.9%的锌源,称重后将锌源放入石英舟内,在锌源的下游方向0.5-4cm处设置上金属片和下金属片,外加电压为5-50V,将清洗干净的衬底放置到下金属片上,向石英舟... 冯秋菊 唐凯 徐坤 梅艺赢 李梦轲文献传递 CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究 被引量:4 2013年 利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800℃下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高,并且薄膜呈现的电导类型为p型,载流子浓度为9.56×1017cm-3.此外,该器件还表现出良好的整流特性,正向开启电压为4.0V,反向击穿电压为9.5V.在正向45mA的注入电流条件下,器件实现了室温下的电致发光.这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现,这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法. 冯秋菊 蒋俊岩 唐凯 吕佳音 刘洋 李荣 郭慧颖 徐坤 宋哲 李梦轲关键词:CVD 异质结 电致发光 β-Ga2O3薄膜和自催化β-Ga2O3微米线的生长与特性研究 β-GaO是III-VI族直接宽带隙半导体材料,其禁带宽度(Eg)在4.2-4.9eV之间,具有很好的光学和电学特性,日益成为当前氧化物半导体领域的研究热点之一。β-GaO材料在日盲探测器、深紫外透明导电薄膜、气敏传感器... 徐坤关键词:化学气相沉积 异质结 自催化 文献传递 自催化生长大尺寸β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>微米线的方法 本发明公开一种无需催化剂,操作简单、重复性好,可降低制作成本且减少衬底污染,利于后期纳米器件制作的自催化生长大尺寸β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>微米线的方法,按如下步骤进行:将纯度至少为99%... 冯秋菊 刘佳媛 徐坤 杨毓琪 潘德柱 李梦轲文献传递