唐凯
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：辽宁师范大学更多>>
- 发文基金：辽宁省博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究被引量：4
- 2013年
- 利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800℃下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高,并且薄膜呈现的电导类型为p型,载流子浓度为9.56×1017cm-3.此外,该器件还表现出良好的整流特性,正向开启电压为4.0V,反向击穿电压为9.5V.在正向45mA的注入电流条件下,器件实现了室温下的电致发光.这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现,这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法.
- 冯秋菊蒋俊岩唐凯吕佳音刘洋李荣郭慧颖徐坤宋哲李梦轲
- 关键词：CVD异质结电致发光
- 单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法
- 本发明公开一种单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法，是采用简单的CVD方法通过控制生长时间等参数，首先在衬底上生长一层高取向的未掺杂n型ZnO微米线，然后在其上继续生长一层Sb掺杂的p型ZnO微米线，从而制备出Zn...
- 冯秋菊唐凯吕佳音刘洋李梦轲
- 文献传递
- 通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法及其装置
- 一种通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法：取纯度大于99.9%的锌源，称重后将锌源放入石英舟内，在锌源的下游方向0.5-4cm处设置上金属片和下金属片，外加电压为5-50V，将清洗干净的衬底放置到下金属片上，向石英舟...
- 冯秋菊唐凯徐坤梅艺赢李梦轲
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- 单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法
- 本发明公开一种单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法，是采用简单的CVD方法通过控制生长时间等参数，首先在衬底上生长一层高取向的未掺杂n型ZnO微米线，然后在其上继续生长一层Sb掺杂的p型ZnO微米线，从而制备出Zn...
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- 采用简单化学气相沉积法制备Sb掺杂p型ZnO薄膜的方法
- 本发明公开一种采用简单化学气相沉积法制备Sb掺杂p型ZnO薄膜的方法，是将锌源和锑源按质量比为5：1充分混合制成反应源材料，所述锌源为纯度至少为99.99%的固态Zn粉，所述锑源为纯度为99.999%的Sb<Sub>2<...
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- 通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法及其装置
- 一种通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法：取纯度大于99.9%的锌源，称重后将锌源放入石英舟内，在锌源的下游方向0.5-4cm处设置上金属片和下金属片，外加电压为5-50V，将清洗干净的衬底放置到下金属片上，向石英舟...
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- 采用简单化学气相沉积法制备Sb掺杂p型ZnO薄膜的方法
- 本发明公开一种采用简单化学气相沉积法制备Sb掺杂p型ZnO薄膜的方法，是将锌源和锑源按质量比为5：1充分混合制成反应源材料，所述锌源为纯度至少为99.99%的固态Zn粉，所述锑源为纯度为99.999%的Sb<Sub>2<...
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