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杨小平

作品数：13 被引量：15H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 5篇理学

主题

  • 7篇砷化镓
  • 3篇砷化铝
  • 3篇量子
  • 3篇晶格
  • 3篇激子
  • 3篇超晶格
  • 2篇衍射
  • 2篇双晶衍射
  • 2篇自组织
  • 2篇自组织生长
  • 2篇量子点
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  • 2篇GAAS/A...
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  • 2篇INAS/G...
  • 1篇电场
  • 1篇电场作用
  • 1篇电荷注入
  • 1篇异质结
  • 1篇展宽

机构

  • 13篇中国科学院
  • 1篇国家光电子工...

作者

  • 13篇杨小平
  • 6篇郑厚植
  • 5篇徐仲英
  • 5篇江德生
  • 3篇许继宗
  • 3篇李承芳
  • 3篇张耀辉
  • 3篇郑宝真
  • 3篇陈宗圭
  • 3篇刘伟
  • 3篇吕振东
  • 2篇崔丽秋
  • 2篇王志明
  • 2篇袁之良
  • 2篇段晓峰
  • 2篇封松林
  • 2篇宋春英
  • 2篇罗克俭
  • 1篇周均铭
  • 1篇李桂荣

传媒

  • 8篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇第五届全国固...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 6篇1996
  • 4篇1995
  • 1篇1994
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ⅰ类－Ⅱ类混合GaAs／AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽
1995年
我们在Ⅰ类－Ⅱ类混合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ非对称量子阱结构的样品上，在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累．利用光致发光方法详细地研究了自由载流子散射对激子展宽的贡献，发现低温下随着载流子密度的增加，载流子散射导致的激子展宽随之增加，在一定激发光强下光荧光谱上出现７７Ｋ激子线宽大于室温激子线宽的现象．我们根据载流子对激子态的散射理论进行了计算，发现实验结果和理论预言符合得很好。
刘伟罗克俭江德生张耀辉杨小平
关键词：砷化镓砷化铝激子
GaAs／AlAs波纹超晶格中的激子局域化研究
1995年
本文首次报道（３１１）面上生长的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ波纹超晶格中的激子局域化效应．在这种结构中，波纹异质结界面的缺陷，包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级，因此低温下其发光能量相对于（１００）样品发生明显的红移．在Ⅱ类超晶格中，局域化能级成为Ｘ能谷电子向能谷输运的通道，从而加强了Ｘ－电子态混合，使实验观察到的Ｘ跃迁表现出跃迁的某些性质．
袁之良徐仲英许继宗郑宝真江德生张鹏华杨小平
关键词：砷化镓砷化铝超晶格
在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化
1995年
本文采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化．在７７Ｋ低温下，我们从稳态光荧光谱（ＰＬ谱）上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移．
罗克俭郑厚植李承芳徐士杰张鹏华张伟杨小平
关键词：激子电场纵向电场半导体
注入Ga离子的GaAs／AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究
1996年
用注入Ｇａ离子ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散，表现在ＰＬ光谱中量子阱峰值能量有３０～９０ｍｅＶ的兰移．发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关。
郑宝真赛纳许继宗张鹏华杨小平徐仲英
关键词：光荧光砷化镓
GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器被引量：3
1996年
本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３．０×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３．０×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，当偏压为２Ｖ时，该探测器的响应切换到８～１２μｍ波段，峰值响应波长为９．０μｍ，８５Ｋ温度下的黑体探测率为１．０×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ．
张耀辉江德生夏建白刘伟崔丽秋杨小平宋春英郑厚植周增圻林耀望
关键词：红外探测器砷化镓GAALAS探测器
异质结电荷注入晶体管被引量：1
1996年
通过对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究，以及对器件工作特性的测量分析，在理论上给出了器件过程的物理机制，并对器件结果提出了进一步的改进措施．
李桂荣郑厚植李月霞郭纯英李承芳张鹏华杨小平
关键词：异质结电荷注入晶体管
自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究被引量：3
1997年
报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表明在这种结构中出现了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为ＩｎＡｓ材料的俘获陷阱．随着停顿时间加长，ＩｎＡｓ岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化．
王志明吕振东封松林杨小平陈宗圭徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
关键词：量子点自组织
自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究被引量：3
1998年
利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构．下层ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从１７ＭＬ变成小于１５ＭＬ．透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的ＩｎＡｓ量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的ＩｎＡｓ层相对应的一个发光峰．
王志明封松林吕振东杨小平陈宗圭宋春英徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
关键词：自组织砷化镓
自组织生长InAs量子点发光的温度特性被引量：1
1996年
本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温度关系，而光谱宽度则明显减小．这些结果表明ＩｎＡｓ量子点结构是一种强耦合系统，局域在ＩｎＡｓ量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿，从而增强了载流子的弛豫过程．
吕振东杨小平袁之良徐仲英郑宝真许继宗陈弘黄绮周均铭王建农王玉琦葛惟昆
关键词：自组织生长砷化铟温度特性
GaAs／AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究被引量：1
1994年
研究了低温、平行磁场下两种ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱的量子干涉特性．两种样品的阱宽均为６０，但挚垒层厚度不同，分别为１２０和２０．实验结果表明，样品的电导随磁场呈周期性振荡，振荡周期近似为ｈ／（ｅ·Ｓ），这一结果同Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ｂｏｈｍ效应的理论值相吻合。我们也发现，薄势垒层样品比厚势垒层样品的电导振荡幅度更大一些．
王杏华郑厚植李承芳刘剑杨小平余琦Reino Laiho
关键词：砷化镓量子相干
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共2页<12>
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