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魏欢

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇异质结
  • 7篇晶体管
  • 5篇SIGE/S...
  • 5篇HBT
  • 4篇异质结双极晶...
  • 4篇双极晶体管
  • 3篇电流增益
  • 3篇增益
  • 3篇锗化硅
  • 2篇电路
  • 2篇电阻
  • 2篇异质结双极型...
  • 2篇载流子
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇微电子
  • 2篇基区电阻
  • 2篇集成电路
  • 1篇单片
  • 1篇单片微波

机构

  • 9篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 9篇魏欢
  • 8篇徐晨
  • 8篇邹德恕
  • 8篇沈光地
  • 8篇陈建新
  • 7篇杜金玉
  • 6篇高国
  • 3篇赵立新
  • 2篇韩金茹
  • 2篇周静
  • 2篇袁颖
  • 2篇罗辑
  • 2篇吴德馨
  • 2篇孙泽长
  • 2篇董欣
  • 2篇邓军
  • 1篇王玉田
  • 1篇史辰

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇电子学报
  • 1篇北京工业大学...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 4篇2000
  • 2篇1999
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
异质结双极型晶体管
一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向...
沈光地邹德恕陈建新杜金玉吴德馨高国徐晨韩金茹董欣罗辑魏欢周静孙泽长袁颖赵立新
文献传递
异质结双极型晶体管
一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向...
沈光地邹德恕陈建新杜金玉吴德馨高国徐晨韩金茹董欣罗辑魏欢周静孙泽长袁颖赵立新
文献传递
SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响
2000年
从模拟和实验两方面研究了SiGe/SiHBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响 .发现两界面偏离时器件性能会变差 .尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十 就足以产生相当高的电子寄生势垒 ,严重恶化器件的性能 .据此分析了基区B杂质的偏析和外扩对器件的影响以及SiGe/Si隔离层的作用 .
徐晨沈光地邹德恕陈建新李建军罗辑魏欢周静董欣
关键词：SIGE/SI异质结双极晶体管
低温生长SiO_2膜的性质及其在SiGe/Si HBT研制中的应用
1999年
用磁控溅射SiO2膜作为台面SiGe／SiHBT的表面保护纯化膜和光刻掩膜．测试分析了溅射工艺对SiO2膜的性质和SiGe／SiHBT性能的影响．研究发现，较高的衬底温度（200℃）有得于改善SiO2膜的质量．用溅射SiO2方法制备的HBT的电流增益明显高于用热分解正硅酸乙脂方法淀积SiO2制备的HBT．这说明溅射法避免了高温引起SiGe层应变驰豫所造成的HBT性能变差．
徐晨邹德恕陈建新陈建新高国杜金玉魏欢高国沈光地
关键词：磁控溅射SIGE/SIHBT二氧化硅膜
77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT
2001年
通过优化设计ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到２６０００的高增益异质结晶体管。
邹德恕陈建新徐晨魏欢史辰杜金玉高国邓军沈光地
关键词：HBT电流增益锗化硅异质结晶体管
SiGe/Si HBT及其单片微波集成电路的研究
2000年
SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。
魏欢陈建新邹德恕徐晨徐晨韩金茹杜金玉周静沈光地
关键词：异质结双极晶体管单片微波集成电路锗化硅
SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射被引量：1
2000年
通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系
邹德恕徐晨罗辑魏欢董欣周静杜金玉高国陈建新沈光地王玉田
关键词：X射线双晶衍射硅锗化硅
低温SiGe/Si HBT的研制及性能分析被引量：1
2001年
用MBE(分子束外延 ,MolecularBeamEpitaxy)生长的材料研制了在低温工作的SiGe/SiHBT(异质结双极型晶体管 ,HeterojunctionBipolarTransistor) .其在液氮下的直流增益hfe(Ic/Ib)为 16 0 0 0 ,交流增益 β(ΔIc/ΔIb)为 2 6 0 0 0 ,分别比室温增益提高 5 1和 73倍 .测试了该HBT直流特性从室温到液氮范围内随温度的变化 ,并作了分析讨论 .
徐晨沈光地邹德恕陈建新邓军魏欢杜金玉高国
关键词：SIGE/SIHBT分子束外延异质结双极晶体管低温电子学
SiGe异质结双极晶体管及其集成电路的研究
在现今的社会中，无线移动通讯技术和设备正在飞速的发展。CDMA等 先进通讯方式的出现和日益普及需要大量的用于高频段的高性能集成电路产 品。利用SiGe材料制成的异质结双极晶体管...
魏欢
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