您的位置： 专家智库 > >

冯晖

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
发文基金：电子信息产业发展基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电容
  • 1篇信号增益
  • 1篇增益
  • 1篇平衡放大器
  • 1篇小信号
  • 1篇小信号增益
  • 1篇宽带
  • 1篇宽带功率放大...
  • 1篇击穿电压
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇仿真
  • 1篇放大器
  • 1篇RESURF
  • 1篇TG
  • 1篇GHZ
  • 1篇LDMOS
  • 1篇MESFET

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇冯晖
  • 1篇许晟瑞
  • 1篇张进城
  • 1篇郝跃
  • 1篇姜雨男
  • 1篇李德昌

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇陕西省物理学...

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
新型双RESURF TG-LDMOS器件结构被引量：2
2007年
研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET(DRTG-LDMOS).讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响,以及DRTG-LDMOS的电容特性.与传统的槽栅器件结构相比,新结构在相同的漂移长度和导通电阻下,击穿电压提高了30V,并表现出优异的频率特性.
许晟瑞郝跃冯晖李德昌张进城
关键词：LDMOSRESURF仿真击穿电压电容
(8～12)GHz宽带功率放大器的设计
介绍一种根据GaAs MESFET的静态I-V特性曲线和小信号5参数，利用IADS技术对功放管的输入和输出阻抗匹配电路进行优化仿真设计的方法。选用FLX207MH-12功率器件设计出了单级宽带功率放大器，在(8～12)G...
姜雨男冯晖郝跃李德昌何琳
关键词：宽带功率放大器MESFET平衡放大器小信号增益
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0