尹士平
- 作品数：5 被引量：15H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 计算机闭环控径制备φ2.0英寸<111>GaP单晶
- 用高压液封直拉法(LEC法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度.本文阐述了LEC法制备GaP单晶过程中,用计算机来控制单晶直径的原理,及用计算机闭环控径制备GaP单晶的初...
- 尹士平俞斌才郑安生
- 关键词：单晶计算机发光二极管直拉法
- 文献传递
- 计算机闭环控径制备Φ2.0英寸<111>aP单晶
- 用高压液封直拉法(LEC 法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度。本文阐述了LEC法制备GaP 单晶过程中,用计算机来控制单晶直径的原理,及用计算机闭环控径制备GaP 单...
- 尹士平俞斌才郑安生
- 关键词：单晶计算机直径
- 文献传递
- 退火对锗单晶导电性能的影响被引量：6
- 2007年
- 退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型。同时,退火温度超过550℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果。
- 王思爱苏小平冯德伸尹士平
- 关键词：锗单晶退火电阻率
- 计算机闭环控径制备Φ2.0英寸aP单晶
- 尹士平俞斌才郑安生
- Φ300 mm红外锗单晶生长及性能测试被引量：14
- 2006年
- 采用直拉法成功拉制直径300 mm红外锗单晶,讨论了热场温度梯度、拉晶工艺参数以及浮渣对拉晶的影响,测量了单晶电阻率、红外透过率和断裂模量,结果表明单晶满足红外光学系统的使用要求。
- 冯德伸苏小平闵振东尹士平
- 关键词：工艺参数浮渣
