闵振东
- 作品数：6 被引量：24H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于DEFORM的单晶锗的切削仿真及实验分析被引量：1
- 2019年
- 锗材料在军事、航空航天、探测等领域有着广泛的应用,对其表面质量有着严格的要求。由于自身的易解理、脆性大的特性使得在加工过程中存在着不少的加工难度。本文基于DEFORM有限元仿真软件,通过建立单晶锗的加工物理模型,通过设置不同的进给速度,进给量,对其切削过程进行有限元模拟仿真,分析切削过程。结合切削加工实验,通过对比实验验证,在一定加工零件尺寸的前提下,获得单晶锗较优的切削速度与切削量的加工参数范围值,验证了对单晶锗仿真切削分析的可行性。
- 曲骏冯德伸冯德伸林泉闵振东
- 关键词：DEFORM切削量表面粗糙度
- 一种红外晶体平面加工用工装
- 一种红外晶体平面加工用工装，该工装分为上模(1)与下模(2)，用螺纹连接上模(1)与下模(2)，以真空硅胶油密封，上模上开有多个通孔(1-1)，该通孔与抽真空管(3)相通。本实用新型的优点是：晶片无需粘接，直接放在真空吸...
- 闵振东旷文飞于卫永
- 文献传递
- 内圆切片机防护罩
- 本实用新型属半导体材料制备设备领域，特别涉及一种内圆切片机防护罩。防护罩由罩体和推拉门组成，用有机玻璃板材制作。罩体为长方体结构，在立式内圆切片机上使用时，放置在切片机刀盘罩上，切片机送料系统从罩体的顶面的未封闭的窗口进...
- 闵振东李秀辉
- 文献传递
- 4英寸低位错锗单晶生长被引量：13
- 2008年
- 采用直拉法生长4英寸〈100〉低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求。
- 冯德伸李楠苏小平杨海闵振东
- 关键词：温度梯度缩颈工艺参数位错密度
- 晶体炉免拆清洗的水冷观察窗
- 一种晶体炉免拆清洗的水冷观察窗，它安装在单晶炉体上，在近炉体玻璃和远炉体玻璃之间形成的夹层内设置有平面磁体，在该平面磁体的两侧面连接有玻璃擦拭物，在远炉体玻璃外设置有平面磁体，在该平面磁体的两侧面连接有玻璃擦拭物。具体说...
- 闵振东冯德伸
- 文献传递
- Φ300 mm红外锗单晶生长及性能测试被引量：14
- 2006年
- 采用直拉法成功拉制直径300 mm红外锗单晶,讨论了热场温度梯度、拉晶工艺参数以及浮渣对拉晶的影响,测量了单晶电阻率、红外透过率和断裂模量,结果表明单晶满足红外光学系统的使用要求。
- 冯德伸苏小平闵振东尹士平
- 关键词：工艺参数浮渣
