冯德伸
- 作品数：21 被引量：52H指数：5
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：河北省科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- Ge单晶中的位错形态腐蚀
- 采用CZ法拉制晶向为<100>Ge单晶,利用化学腐蚀和金相显微镜研究Ge单晶中位错密度、位错坑形态发展过程。对于磨砂型号、研磨时间、抛光时间、腐蚀时间的不同对位错形态及本底有影响的几个因素设计实验方案。结果发现:随着研磨...
- 李楠王宁冯德伸
- 关键词：位错
- 文献传递
- <100>P型4英寸无位错锗单晶的研制被引量：5
- 2018年
- 从4英寸无位错锗单晶的生长温度梯度条件出发,设计开发了直拉法生长4英寸无位错锗单晶的双加热器热场系统;并对其热场进行了一系列的数值模拟研究,获得了4英寸无位错锗单晶的温度分布、轴向和径向的温度梯度分布以及热应力的分布结果：双加热器热场系统生长的锗单晶中轴向温度梯度在0.1~0.6 K·cm-1范围内,径向温度梯度为0.02~0.26 K·cm-1;锗单晶中局部区域的热应力值超过了锗单晶的临界切应力1 MPa,其他区域的热应力小于临界切应力。实验将双加热器热场系统中生长的无位错锗单晶,按要求切取测试片后进行位错腐蚀测量研究,获得测试片的位错密度和锗晶体的位错纵向分布。论文研究结果表明,锗单晶晶体中的应力分布数值模拟预期结果与实验生长的锗单晶位错腐蚀实验研究结果一致：该双加热器热场系统适合拉制4英寸无位错锗单晶;其位错呈离散分布,位错密度为350~480 cm-2。
- 高欢欢黎建明冯德伸王霈文李葳
- 关键词：锗单晶温度梯度
- 大直径红外光学锗单晶被引量：4
- 1998年
- 采用直拉法研制了大直径红外光学锗单晶，测量了其光学性能和力学性能。
- 马绍芳裴玉兰冯德伸解红霞
- 关键词：红外光学锗单晶直拉法光学性能力学性能
- 耐高压球形锗窗的研制被引量：1
- 1998年
- 研制了耐高压的球形锗窗，测量了其光学和力学性能。
- 马绍芳裴玉兰冯德伸解红霞
- 关键词：力学性能光学性能
- 锗单晶中位错密度的影响因素被引量：9
- 2010年
- 直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响;温度梯度对位错密度的影响;固液界面形状对位错密度的影响;机械因素对位错密度的影响。通过dash技术排除籽晶中位错的影响;通过调整晶体所处的热场(改变埚位和保温筒高度)、改变熔体中轴向负温度梯度的状况(增加坩埚杆的保温效果和开双加热器)和通过设计出轴向温度梯度为线性温度梯度径向温度梯度较小的热场来减小温度梯度对位错密度的影响;通过调整固液界面形状(改变拉速、埚转和晶转)来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排、位错堆以及小角晶界,得到低位错密度的单晶。
- 左建龙冯德伸李楠
- 关键词：锗单晶太阳能电池温度梯度
- 大直径红外光学锗晶体
- 马绍芳裴玉兰褚乃林解红霞冯德伸胡国元连星娥张和稳姚长柱
- 锗具有良好的透红外性能，高的折射指数，低色散，不潮解，化学稳定性及机械强度好等优点，被广泛用作红外透镜和窗口，是红外光学系统的首选材料。该项目由航天工业总公司和电子工业部委托，为满足“东方红三号”卫星地球敏感器的标定设备...
- 关键词：
- 关键词：晶体生长
- 4英寸低位错锗单晶生长被引量：13
- 2008年
- 采用直拉法生长4英寸〈100〉低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求。
- 冯德伸李楠苏小平杨海闵振东
- 关键词：温度梯度缩颈工艺参数位错密度
- VGF法生长6英寸Ge单晶中热应力的数值模拟优化被引量：3
- 2011年
- VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6英寸低位错Ge单晶的生长,结果表明在采用自主研发的VGF炉生长6英寸Ge单晶时,晶体生长过程中晶体与熔体中均具有较低的温度梯度(这里的温度梯度是指的界面附近的温度梯度),尤其当晶体生长进入等径生长阶段后,晶体中的轴向温度梯度在2～3 K.cm-1之间,熔体中的轴向温度梯度0.8～1.0 K.cm-1之间;晶体中的热应力除边缘外均在(2～9)×104 Pa之间,低于Ge单晶的临剪切应力,且晶体生长界面较平整;坩埚与坩埚托之间的间隙对于晶体生长中的"边界效应"影响显著,将8 mm间隙减小至2 mm后,埚壁外侧的径向热流增加,使得晶体边缘的最大热应力减小至0.21 MPa和Ge单晶的临剪切应力相当,实现了热场的优化。
- 丁国强苏小平张峰燚黎建明冯德伸
- 关键词：锗单晶数值模拟
- 基于DEFORM的单晶锗的切削仿真及实验分析被引量：1
- 2019年
- 锗材料在军事、航空航天、探测等领域有着广泛的应用,对其表面质量有着严格的要求。由于自身的易解理、脆性大的特性使得在加工过程中存在着不少的加工难度。本文基于DEFORM有限元仿真软件,通过建立单晶锗的加工物理模型,通过设置不同的进给速度,进给量,对其切削过程进行有限元模拟仿真,分析切削过程。结合切削加工实验,通过对比实验验证,在一定加工零件尺寸的前提下,获得单晶锗较优的切削速度与切削量的加工参数范围值,验证了对单晶锗仿真切削分析的可行性。
- 曲骏冯德伸冯德伸林泉闵振东
- 关键词：DEFORM切削量表面粗糙度
- 空间高效太阳能电池用高性能锗单晶研制被引量：1
- 2010年
- 美国、俄罗斯、中国、印度、日本、欧洲等国家都投入大量的资源发展空间技术。目前，空间电源的主要来源是太阳电池。但由于传统的硅太阳电池受到空间辐射后电池性能衰减较快，转换效率低等影响，不能满足先进飞行器的要求。而GaAs太阳电池具有高转换效率、耐辐射、温度特性好和寿命长等优点，但GaAs单晶生长工艺困难，难于获得大尺寸结构完整的单晶，
- 杨海苏小平冯德伸
- 关键词：高效太阳能电池锗单晶GAAS太阳电池硅太阳电池GAAS单晶
