张洪波
- 作品数：6 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高饱和电流14xxnm应变量子阱激光器的研制被引量：1
- 2005年
- 报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片,采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波导激光器制备工艺进行光刻、腐蚀,制作P面电极(溅射 TiPtAu)、减薄、制作N面电极(蒸发AuGeNi),然后将试验片解理成Bar;为获得高的单面输出功率,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR)进行腔面镀膜,HR=90%,AR=5%;解理成的管芯P面朝下烧结到铜热沉上,TO3封装后在激光器综合测试仪进行测试。管芯功率达到440 mW以上,饱和电流3 A以上,峰值波长1430 nm,远场发散角为40°×14°。
- 张洪波韦欣朱晓鹏王国宏张敬明马骁宇
- 关键词：激光技术应变量子阱激光器光纤拉曼放大器
- 高饱和电流14xxnm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱激光器的研制
- 报道了我们采用锥菜增益区结构MOCVD生长AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱激光器的最新成果.功率达到440mW以上,饱和电流3A以上,峰值波长1430nm,远场发散角为40°×14&#...
- 张洪波韦欣朱晓鹏王国宏张敬明马骁宇
- 关键词：喇曼光纤放大器泵浦源量子阱激光器
- InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长被引量：1
- 2005年
- 为了生长制作器件所需的外延片 ,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管 (HBT)结构、1 5 5 μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构 .激光器结构的生长温度为 6 5 5℃ ,有源区为 5个周期的InGaAsP/InGaAsP多量子阱 (阱区λ =1 6 μm ,垒区λ =1 2 8μm) ;HBT结构则采用 5 5 0℃低温生长 ,其中基区采用Zn掺杂 ,掺杂浓度约为 2× 10 19cm-3 .对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射 ,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试 ,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求 .
- 江李林涛韦欣王国宏张广泽张洪波马骁宇李献杰
- 关键词：金属有机化学气相沉积光电集成电路异质结双极晶体管
- 泵浦用大功率半导体激光器研制与应用发展状况被引量：7
- 2003年
- 详尽地介绍了当前可以使用半导体泵浦的固体激光器泵浦要求 ,相应的半导体泵浦源的发展状况 ,存在的问题 ,最后介绍了列阵和耦合两种提高半导体泵浦源功率 ,改善其光束质量的方法。
- 王勇刚马骁宇张洪波刘媛媛
- 关键词：大功率半导体激光器半导体泵浦固体激光器列阵
- 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构
- 一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构，其中包括：一衬底；一铝镓砷层，该铝镓砷层制作在衬底上；一铝镓铟砷有源层，该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上；一铝铟砷层，该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上；一铟...
- 张洪波韦欣朱晓鹏王国宏马骁宇
- 文献传递
- 带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制被引量：1
- 2005年
- 利用MOCVD生长了14xxnmAlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片 采用带有锥形增益区脊型波导结构和普通条形脊型波导结构在相同的实验条件下制作800μm腔长激光器管芯,在相同的驱动电流下前者可以获得更高的输出光功率,而且P Ⅰ曲线线性度较好、饱和电流高1200μm腔长带有锥形增益区脊型波导结构管芯功率达到500mW,饱和电流3A以上,峰值波长1460nm。
- 张洪波韦欣朱晓鹏王国宏张敬明马骁宇
- 关键词：量子阱激光器
