曲成立
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于噪声高k栅栈结构缺陷表征方法研究
- 高介电常数介质(高k介质)器件，材料缺陷密度高、分布复杂，导致性能退化和可靠性降低等，因此，高k介质缺陷及其表征方法研究引起重视。
由于常规缺陷表征方法，如电容-电压法(Capacitance-Voltage)、应...
- 曲成立
- 关键词：性能表征
- 文献传递
- 基于转移矩阵法确定高k介质中泄漏电流共振隧穿机制的存在性被引量：1
- 2012年
- 栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高k栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高k介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力学的转移矩阵方法,计算沟道电子通过高栅栈结构的透射系数,模拟得到的透射系数曲线随电子能量变化呈现峰谷振荡的特征.将本文模拟结果与非平衡格林函数及WKB近似方法模拟结果对比,通过论证得出电子能量低于高导带底的透射系数峰为共振隧穿机制所产生,而能量高于高k介质导带底的电子透射系数峰为直接隧穿的结论.
- 曲成立杜磊刘宇安庄奕琪陈华李晨牛文娟
- 高k栅栈MOSFET共振隧穿模型
- 2012年
- 针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿模型.通过薛定谔方程和泊松方程求SiO2和高k界面束缚态波函数,利用横向共振法到共振本征态,采用量子力转移矩阵法求共振隧穿系数,模拟到栅隧穿电流密度与文献中实验结果一致.讨论了高k栅几种介质材料和栅电极材料及其界面层(IL)厚度、高k层(HK)厚度对共振隧穿系数影响.结果表明,随着HfO2和Al2O3厚度减小,栅栈结构共振隧穿系数减小,共振峰减少.随着La2O3厚度减小,共振峰减少,共振隧穿系数却增大.随着SiO2厚度增大,HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈结构共振隧穿系数都减小,共振峰都减少.TiN栅电极HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈比相应多晶硅栅电极栅栈结构共振隧穿系数小很多,共振峰少.
- 刘宇安庄奕琪杜磊李聪陈华曲成立
- 关键词：MOSFET共振隧穿
