朱三元
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体的XAFS研究被引量：1
- 2007年
- 利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2+离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2+离子,并且造成了Co2+离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2+离子进入晶格,剩余的Co2+和Co3+析出晶格形成Co3O4相.
- 史同飞朱三元吴文清张国斌闫文盛孙治湖刘文汉韦世强
- 关键词：XAFS溶胶-凝胶法
- Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜的结构研究被引量：5
- 2007年
- 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.
- 孙玉孙治湖朱三元史同飞叶剑潘志云刘文汉韦世强
- 关键词：磁控溅射XRDXAFS
