孙玉
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 考虑区域异质性的中国省域高等教育系统效率影响机理研究：外部、内部与国家计划视角
- 改革开放以来,我国快速建成了世界最大规模的高等教育体系,中国高等教育迈入世界公认的普及化阶段。随着我国开启全面建设社会主义现代化国家新征程,高质量发展已成为我国经济社会发展的首要任务,高等教育作为支撑国家科技创新和人才队...
- 孙玉
- 关键词：数据包络分析区域异质性
- Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜的结构研究被引量：5
- 2007年
- 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.
- 孙玉孙治湖朱三元史同飞叶剑潘志云刘文汉韦世强
- 关键词：磁控溅射XRDXAFS
- MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究被引量：1
- 2008年
- 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
- 任鹏刘忠良叶剑姜泳刘金锋孙玉徐彭寿孙治湖潘志云闫文盛韦世强
- 关键词：分子束外延XRDXANES
- 面向高校学生就业分析及人脸检测的挖掘技术研究
- 随着信息技术的发展，数据挖掘技术作为目前计算机研究的热门领域，在社会各方面得到广泛使用，它旨在从大量数据中挖掘出有价值的信息。
本文重点研究数据挖掘中的分类方法和聚类方法，首先以学校现有的数据平台中的数据为挖掘对象...
- 孙玉
- 关键词：高校学生就业分析数据挖掘聚类技术人脸检测
- 文献传递
- 磁控溅射法制备Ge<,1-x>Mn<,x>稀磁半导体的结构研究
- 稀磁性半导体(DMS)是在半导体中掺杂低浓度的过渡金属离子(TM)而生成的磁性材料，由于稀磁性半导体材料是实现自旋电子学器件的重要材料，因此受到了人们的广泛关注。向Ⅳ族半导体Ge材料中掺入磁性过渡金属原子Mn所形成的Ⅳ族...
- 孙玉
- 关键词：稀磁半导体半导体薄膜过渡金属离子自旋电子学
- 文献传递
