叶剑
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
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- MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究被引量：1
- 2008年
- 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
- 任鹏刘忠良叶剑姜泳刘金锋孙玉徐彭寿孙治湖潘志云闫文盛韦世强
- 关键词：分子束外延XRDXANES
- 原位XAFS研究纳米非晶态合金NiB的晶化机理
- 2007年
- 利用原位XAFS技术研究了在273K下化学还原法制备Ni70B30纳米非晶态合金的升温晶化过程．结果表明，NiB初始样品中存在Ni和B原子的局部富集，Ni原子的局域结构类似于非晶态Ni，并且Ni原子第一近邻B原子的平均配位数只有0．7左右，远低于其化学计量比7：3应有的配位数3．6．在升温至498K时，部分NiB开始晶化生成fcc-Ni;在523～598K温度范围内，NiB晶化比例随着温度的升高呈线性增加；在温度高于598K时，NiB纳米非晶态合金的晶化基本完成．
- 韦正李忠瑞姜政钟文杰叶剑宋晋湘闫文盛韦世强
- 关键词：晶化机理
- Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜的结构研究被引量：5
- 2007年
- 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.
- 孙玉孙治湖朱三元史同飞叶剑潘志云刘文汉韦世强
- 关键词：磁控溅射XRDXAFS
- Mn掺杂Ⅳ族稀磁半导体的X射线吸收谱学研究
- 本论文主要利用同步辐射X射线吸收精细结构谱学/(XAFS/)技术,结合X射线衍射/(XRD/)、原子力显微镜/(AFM/)和拉曼光谱等实验方法联合研究了磁控溅射共溅射方法制备的Mn掺杂IV族稀磁半导体薄膜的结构和性能,获...
- 叶剑
- 关键词：X射线吸收精细结构稀磁半导体
- 文献传递
- Ni_(100-x)P_x合金的X射线谱学研究
- 2009年
- 利用X射线吸收精细结构(XAFS)和X射线衍射(XRD)研究了化学还原法制备的不同磷含量的Ni100-xPx合金的原子和电子结构.结果表明,当x=10时,磷元素的掺入导致了NiP样品中fcc结构的镍晶格扭曲和膨胀,Ni-Ni第一近邻配位的键长约增加0.03.随着磷含量的增加,膨胀和扭曲加剧,当x达到14左右时,样品的fcc-Ni晶格被完全破坏,从而形成非晶态NiP合金.X射线吸收近边结构(XANES)的结果表明,低磷含量(x≤10)时NiP样品的电子结构没有明显的变化,随着磷含量的增加,Ni 4p态的分布变得宽化和越来越弥散.而当x达到26时,有大量电荷从Ni原子转移到P原子.
- 宋晋湘潘志云姜政李忠瑞叶剑孙治湖韦正韦世强
- 关键词：XAFSXANESXRD
