朱述炎
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 不同散射机理对Al_2O_3/In_xGa_(1-x)As nMOSFET反型沟道电子迁移率的影响
- 2013年
- 通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙散射等主要散射机理,建立了以Al2O3为栅介质InxGa1-xAsn沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型沟道电子迁移率模型,模拟结果与实验数据有好的符合.利用该模型分析表明,在低至中等有效电场下,电子迁移率主要受界面电荷库仑散射的影响;而在强场下,电子迁移率则取决于界面粗糙度散射.降低界面态密度,减小Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙度,适当提高In含量并控制沟道掺杂在合适值是提高InGaAs nMOSFETs反型沟道电子迁移率的主要途径.
- 黄苑徐静平汪礼胜朱述炎
- 关键词：INGAASMOSFET散射机理
- 高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
- 2014年
- 利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,侧墙结构的MOSFET次之。进一步分析发现,当缓冲层结构InGaAs MOSFET的沟道厚度大于80nm时,可获得稳定的电性能。
- 朱述炎叶青汪礼胜徐静平
- 关键词：MOSFETINGAAS高K栅介质
- 高k栅介质(In)GaAsMOS器件界面特性及结构仿真研究
- 随着器件特征尺寸缩小到22nm及以下，传统的SiO2/Si系统已经不能满足高速度、高性能的CMOS集成电路的需要。Ⅲ-Ⅴ族半导体材料具有较高的电子迁移率和较低的功耗，吸引了越来越多研究者的注意。然而，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的...
- 朱述炎
- 关键词：高K栅介质
- 文献传递
