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叶青

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇栅介质
  • 1篇高K栅介质
  • 1篇MOSFET
  • 1篇INGAAS

机构

  • 1篇华中科技大学
  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 1篇朱述炎
  • 1篇徐静平
  • 1篇汪礼胜
  • 1篇叶青

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
2014年
利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,侧墙结构的MOSFET次之。进一步分析发现,当缓冲层结构InGaAs MOSFET的沟道厚度大于80nm时,可获得稳定的电性能。
朱述炎叶青汪礼胜徐静平
关键词：MOSFETINGAAS高K栅介质
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共1页<1>
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