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国产先进工艺SoC器件空间单粒子效应试验研究被引量：1: 2022年; 国产某型号导航SoC器件采用55 nm商用工艺生产。针对该型器件的辐射敏感性分析表明其易受单粒子效应影响,为此利用重离子加速器完成空间单粒子辐照的地面模拟试验,考查器件的单粒子效应,为其空间应用提供数据支撑。结果表明:器件抗单粒子锁定的LET阈值大于81.4 MeV·cm^(2)/mg,满足空间应用指标要求;但器件对单粒子翻转和单粒子功能中断较为敏感。利用ForeCAST软件计算得到GEO、Adams 90%最坏环境模型,3 mm(Al)屏蔽条件下器件的DFT模式单粒子翻转率为6.80×10^(-8) d^(-1)·bit^(-1),SRAM模式单粒子翻转率为5.61×10^(-11) d^(-1)·bit^(-1),单粒子功能中断率为5.24×10^(-5) d^(-1),在轨应用时需要采取相应的防护措施。; 杨榕杜卓宏王乾元李嘉伟孙毅吕贺张洪伟张洪伟; 关键词：SOC 单粒子翻转

单粒子瞬态电流脉冲检测方法: 本发明提供一种收集和测量单粒子瞬态电流脉冲的方法，其特征在于，所述方法包括：对器件的待测区域进行辐照，产生单粒子脉冲信号；用示波器捕获所述单粒子脉冲电流信号。相应的，本发明还提供了一种收集和测量单粒子瞬态电流脉冲的系统。...; 梅博毕津顺韩郑生罗家俊; 文献传递

MOS器件的建模方法: 本发明提供一种MOS器件的建模方法，包括：建立定义与STI相关的尺寸的一组参数，其中至少一个参数定义了STI的宽度或者栅宽方向上到STI的距离；建立所述一组参数对阈值电压和迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的...; 卜建辉毕津顺梅博罗家俊韩郑生; 文献传递

宇航用双极器件和光电耦合器位移损伤试验研究被引量：6: 2017年; 文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律。研究结果表明,在质子70 MeV以上高能量范围,对于硅器件适用的位移损伤等效原理对于GaAs化合物器件则不再适用,需要修正。根据试验数据,给出了经验的修正系数。; 李铮于庆奎罗磊孙毅梅博唐民; 关键词：双极器件光电耦合器等效剂量

磁阻式随机存储器(MRAM)重离子单粒子效应试验研究被引量：2: 2018年; 磁阻式随机存储器(MRAM)作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景。文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象,进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究,在此基础上,利用专用软件Fore CAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率,给出了在轨应用的具体建议。; 戈勇高一梅博于庆奎孙毅张洪伟; 关键词：MRAM 单粒子效应单粒子翻转

MTM反熔丝器件编程单元的空间应用适应性评估被引量：1: 2017年; 文章结合航天应用空间环境要求以及MTM反熔丝器件的特点,对MTM反熔丝器件编程单元的航天应用特性进行了分析,提出了MTM反熔丝单元的可靠性评估方法,并对MTM反熔丝单元编程前后的可靠性进行了评估;从抗总剂量和抗单粒子效应两方面对MTM反熔丝器件的空间环境适应性进行试验验证。结果表明:MTM反熔丝工艺满足空间环境应用需要,采用该工艺的器件应用于航天器具有较高的可靠性和空间环境适应性。; 王亚男王文炎李鹏伟梅博洪根深; 关键词：MTM 可靠性评估

MOS器件的建模方法: 本发明提供一种MOS器件的建模方法，包括：建立定义与STI相关的尺寸的一组参数，其中至少一个参数定义了STI的宽度或者栅宽方向上到STI的距离；建立所述一组参数对阈值电压和迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的...; 卜建辉毕津顺梅博罗家俊韩郑生; 文献传递

高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究被引量：1: 2019年; 深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125℃的增幅约为1个数量级:即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应。; 李晓亮梅博李鹏伟孙毅吕贺莫日根于庆奎张洪伟; 关键词：重离子辐照高温环境工作电压

0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究被引量：5: 2015年; 利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响.实验结果表明,单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关,当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps;当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps.激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄;靠近输入则得到的瞬态波形较宽,单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽.入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响.通过理论分析得到,部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因.而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲,是输出节点电容充放电的结果.; 赵星梅博毕津顺郑中山高林春曾传滨罗家俊于芳韩郑生; 关键词：脉冲激光

空间辐射环境下SiC功率MOSFET栅氧长期可靠性研究: 2024年; 利用等效1 MeV中子和γ射线对1200 V SiC功率MOSFET进行辐射,研究了电离损伤和位移损伤对器件的影响,并分析了辐射后器件栅氧长期可靠性。结果表明:中子辐射后器件导通电阻发生明显退化,与辐射引入近界面缺陷降低载流子寿命和载流子迁移率有关。时间依赖的介质击穿(TDDB)结果表明,栅泄漏电流呈现先增加后降低趋势,与空穴捕获和电子捕获效应有关。中子辐射后栅漏电演化形式未改变,但氧化层击穿时间增加,这是中子辐射缺陷增加了Fowler-Nordheim(FN)隧穿势垒的缘故。总剂量辐射在器件氧化层内引入陷阱电荷,使得器件阈值电压负向漂移。随后的TDDB测试表明,与中子辐射一致,总剂量辐射未改变栅漏电演化形式,但氧化层击穿时间提前。这是总剂量辐射在氧化层内引入额外空穴陷阱和中性电子陷阱的缘故。; 杜卓宏肖一平梅博刘超铭孙毅; 关键词：电离辐射

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梅博