张洪伟
- 作品数：9 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国航天更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：航空宇航科学技术电子电信理学一般工业技术更多>>
- 磁阻式随机存储器(MRAM)重离子单粒子效应试验研究被引量：2
- 2018年
- 磁阻式随机存储器(MRAM)作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景。文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象,进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究,在此基础上,利用专用软件Fore CAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率,给出了在轨应用的具体建议。
- 戈勇高一梅博于庆奎孙毅张洪伟
- 关键词：MRAM单粒子效应单粒子翻转
- 空间用长寿命自浮动电连接器原子氧侵蚀效应仿真研究
- 2021年
- 低地球轨道原子氧与航天器表面材料相互作用,可导致材料因氧化剥蚀而发生性能衰退。文章针对空间机械臂用某型长寿命自浮动电连接器,采用自主编写的计算软件,结合地面模拟试验获得的材料剥蚀率数据,对原子氧侵蚀效应进行仿真分析。仿真结果可直观显示电连接器表面各部分所受原子氧侵蚀的厚度分布。地面试验验证表明,经注量为7.83×10^(22)cm^(-2)的原子氧辐照后,电连接器室温下绝缘电阻大于1×10^(5) GΩ,满足技术要求。研究结果可为空间站用电连接器的设计和寿命预测提供参考。
- 郑雪松丁丽娜王文炎张洪伟罗磊罗磊吉俐王荣飞刘贲
- 关键词：低地球轨道原子氧
- 高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究被引量：1
- 2019年
- 深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125℃的增幅约为1个数量级:即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应。
- 李晓亮梅博李鹏伟孙毅吕贺莫日根于庆奎张洪伟
- 关键词：重离子辐照高温环境工作电压
- 国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法被引量：3
- 2019年
- 国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分析了器件的低剂量率辐射损伤增强效应特性,建立了辐射损伤增强因子和参数判据法相结合的评价标准;依据此标准讨论了各型号器件的低剂量率辐射增强敏感度以及抗电离总剂量辐射的能力。
- 李鹏伟吕贺张洪伟孙明孙明刘凡
- 关键词：线性电路
- 国产先进工艺SoC器件空间单粒子效应试验研究被引量：1
- 2022年
- 国产某型号导航SoC器件采用55 nm商用工艺生产。针对该型器件的辐射敏感性分析表明其易受单粒子效应影响,为此利用重离子加速器完成空间单粒子辐照的地面模拟试验,考查器件的单粒子效应,为其空间应用提供数据支撑。结果表明:器件抗单粒子锁定的LET阈值大于81.4 MeV·cm^(2)/mg,满足空间应用指标要求;但器件对单粒子翻转和单粒子功能中断较为敏感。利用ForeCAST软件计算得到GEO、Adams 90%最坏环境模型,3 mm(Al)屏蔽条件下器件的DFT模式单粒子翻转率为6.80×10^(-8) d^(-1)·bit^(-1),SRAM模式单粒子翻转率为5.61×10^(-11) d^(-1)·bit^(-1),单粒子功能中断率为5.24×10^(-5) d^(-1),在轨应用时需要采取相应的防护措施。
- 杨榕杜卓宏王乾元李嘉伟孙毅吕贺张洪伟张洪伟
- 关键词：SOC单粒子翻转
- 一款新研制ASIC器件的单粒子效应检测与故障定位
- 2017年
- 针对一款国产新研ASIC器件抗单粒子能力评估的需要,研制了ASIC器件单粒子效应检测系统。通过单粒子效应评估试验,得到了该器件在Kr离子辐照下的单粒子翻转数据。采用故障树分析和电路仿真技术,对ASIC器件内部单粒子翻转敏感模块进行定位。研究成果可为器件厂家后续设计改进和卫星型号系统级抗辐射加固设计提供依据。
- 罗磊张洪伟董艺梅博于庆奎
- 关键词：单粒子效应故障树分析仿真
- 宇航元器件产品成熟度评价研究被引量：5
- 2017年
- 分析了国内外宇航产品成熟度技术的主要成果,提出了宇航元器件产品成熟度概念,给出了宇航元器件产品成熟度的评价方法及一般的等级划分和定级条件。宇航元器件产品成熟度对于宇航元器件产品综合评价及促进宇航元器件的成功应用将起到重要的作用。
- 王文炎刘辉肖爱斌张洪伟唐民
- 关键词：综合评价
- 空间质子直接和非直接电离引发单粒子效应的地面等效评估试验方法被引量：8
- 2021年
- 以40 nm和65 nm CMOS工艺SRAM为样品,进行质子辐照单粒子效应试验研究,以建立空间质子引起单粒子效应的地面等效评估试验方法。分别进行低能质子直接电离、高能质子核反应和重离子直接电离引起的单粒子翻转试验;根据获得的试验数据,分析讨论给出空间质子引起半导体器件单粒子效应的地面等效评估试验方法:对低能质子直接电离引起的单粒子效应,基于LET等效采用重离子进行试验;对高能质子非直接电离引起的单粒子效应,采用高能质子进行试验;根据地面质子和重离子辐照试验数据,结合空间辐射环境模型,预计由空间质子辐射引起的器件在轨单粒子翻转率。
- 于庆奎王贺曹爽孙毅孙毅吕贺罗磊莫日根张洪伟梅博刘淑芬韩金华张洪伟罗尹虹
- 关键词：半导体器件单粒子效应单粒子翻转
- 高能电子辐照引起的纳米器件翻转效应研究
- 2021年
- 随着电子器件特征尺寸的减小,其翻转阈值也在降低,使得空间中的高能电子或可诱发纳米器件产生翻转效应。文章选用28 nm的V7型FPGA作为研究对象,分别采用能量为0.2 MeV和1.5 MeV、注量率为5×10^(8)~1×10^(9)/(cm^(2)·s)的电子进行辐照,结果表明试件产生了明显的翻转效应。结合高能电子作用28 nm器件的仿真结果,经分析可知,1.5 MeV能量的单个电子与器件碰撞不能发生核反应;针对高能电子诱发器件存储单元翻转的几种可能机理,初步认为该器件的翻转是由多个电子同时作用到其中形成局部电荷累积导致的。因此可见,对于电子能量高、通量大的木星等星体的辐射带环境,需考虑高能电子诱发纳米器件翻转对航天器的影响。
- 吕贺张洪伟梅博梅博莫日根孙毅
- 关键词：高能电子单粒子翻转电子加速器
