您的位置： 专家智库 > >

孙毅

作品数：9 被引量：18H指数：2
供职机构：中国航天更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇航空宇航科学...
  • 1篇理学

主题

  • 6篇单粒子
  • 4篇单粒子翻转
  • 4篇单粒子效应
  • 2篇重离子
  • 1篇等效剂量
  • 1篇电离辐射
  • 1篇电压
  • 1篇电子辐照
  • 1篇电子加速器
  • 1篇对光
  • 1篇双极器件
  • 1篇通信
  • 1篇通信系统
  • 1篇图像
  • 1篇图像传感器
  • 1篇重离子辐照
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇耦合器
  • 1篇卫星

机构

  • 9篇中国航天
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇航天材料及工...
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇北京控制工程...
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 9篇孙毅
  • 8篇梅博
  • 6篇于庆奎
  • 5篇张洪伟
  • 3篇罗磊
  • 2篇唐民
  • 2篇李晓亮
  • 1篇刘超铭
  • 1篇罗尹虹
  • 1篇毕津顺
  • 1篇郭刚
  • 1篇刘淑芬
  • 1篇韩金华
  • 1篇魏志超
  • 1篇李铮

传媒

  • 7篇航天器环境工...
  • 1篇国防科技大学...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
磁阻式随机存储器(MRAM)重离子单粒子效应试验研究被引量：2
2018年
磁阻式随机存储器(MRAM)作为非电荷存储的非易失存储器在抗辐射性能上有一定的优势,在空间有较好的应用前景。文章分析了MRAM的工作原理,选取典型的MR0A08BCYS35型MRAM存储器为研究对象,进行了重离子单粒子效应敏感性试验研究,在此基础上,利用专用软件Fore CAST计算预估了该种器件空间应用条件下的单粒子在轨翻转率,给出了在轨应用的具体建议。
戈勇高一梅博于庆奎孙毅张洪伟
关键词：MRAM单粒子效应单粒子翻转
空间辐射环境下SiC功率MOSFET栅氧长期可靠性研究
2024年
利用等效1 MeV中子和γ射线对1200 V SiC功率MOSFET进行辐射,研究了电离损伤和位移损伤对器件的影响,并分析了辐射后器件栅氧长期可靠性。结果表明:中子辐射后器件导通电阻发生明显退化,与辐射引入近界面缺陷降低载流子寿命和载流子迁移率有关。时间依赖的介质击穿(TDDB)结果表明,栅泄漏电流呈现先增加后降低趋势,与空穴捕获和电子捕获效应有关。中子辐射后栅漏电演化形式未改变,但氧化层击穿时间增加,这是中子辐射缺陷增加了Fowler-Nordheim(FN)隧穿势垒的缘故。总剂量辐射在器件氧化层内引入陷阱电荷,使得器件阈值电压负向漂移。随后的TDDB测试表明,与中子辐射一致,总剂量辐射未改变栅漏电演化形式,但氧化层击穿时间提前。这是总剂量辐射在氧化层内引入额外空穴陷阱和中性电子陷阱的缘故。
杜卓宏肖一平梅博刘超铭孙毅
关键词：电离辐射
高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究被引量：1
2019年
深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125℃的增幅约为1个数量级:即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应。
李晓亮梅博李鹏伟孙毅吕贺莫日根于庆奎张洪伟
关键词：重离子辐照高温环境工作电压
国产先进工艺SoC器件空间单粒子效应试验研究被引量：1
2022年
国产某型号导航SoC器件采用55 nm商用工艺生产。针对该型器件的辐射敏感性分析表明其易受单粒子效应影响,为此利用重离子加速器完成空间单粒子辐照的地面模拟试验,考查器件的单粒子效应,为其空间应用提供数据支撑。结果表明:器件抗单粒子锁定的LET阈值大于81.4 MeV·cm^(2)/mg,满足空间应用指标要求;但器件对单粒子翻转和单粒子功能中断较为敏感。利用ForeCAST软件计算得到GEO、Adams 90%最坏环境模型,3 mm(Al)屏蔽条件下器件的DFT模式单粒子翻转率为6.80×10^(-8) d^(-1)·bit^(-1),SRAM模式单粒子翻转率为5.61×10^(-11) d^(-1)·bit^(-1),单粒子功能中断率为5.24×10^(-5) d^(-1),在轨应用时需要采取相应的防护措施。
杨榕杜卓宏王乾元李嘉伟孙毅吕贺张洪伟张洪伟
关键词：SOC单粒子翻转
图像传感器辐射损伤对光通信系统跟瞄精度的影响分析被引量：1
2017年
卫星光通信系统中的图像传感器在空间辐射环境中会因辐射损伤导致成像噪声增大,从而在确定光斑质心时产生偏差,影响系统跟瞄精度。文章基于典型器件地面辐照试验数据分析结果,利用灰度质心算法对不同尺寸模拟缺陷光斑的质心偏差量进行计算,并分析质心偏差对系统跟瞄精度的影响。结果表明:光斑的质心偏移与辐射产生缺陷像素的数量和位置均相关;增大光斑尺寸可减小质心偏差。最后,从抗辐射损伤能力角度为系统光斑尺寸选取提出约束条件要求。
李晓亮罗磊孙毅魏志超于庆奎
关键词：卫星光通信图像传感器
宇航用双极器件和光电耦合器位移损伤试验研究被引量：6
2017年
文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律。研究结果表明,在质子70 MeV以上高能量范围,对于硅器件适用的位移损伤等效原理对于GaAs化合物器件则不再适用,需要修正。根据试验数据,给出了经验的修正系数。
李铮于庆奎罗磊孙毅梅博唐民
关键词：双极器件光电耦合器等效剂量
面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应
2024年
研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示:GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。
毕津顺毕津顺梅博梅博孙毅孙毅
关键词：总剂量效应单粒子效应
空间质子直接和非直接电离引发单粒子效应的地面等效评估试验方法被引量：7
2021年
以40 nm和65 nm CMOS工艺SRAM为样品,进行质子辐照单粒子效应试验研究,以建立空间质子引起单粒子效应的地面等效评估试验方法。分别进行低能质子直接电离、高能质子核反应和重离子直接电离引起的单粒子翻转试验;根据获得的试验数据,分析讨论给出空间质子引起半导体器件单粒子效应的地面等效评估试验方法:对低能质子直接电离引起的单粒子效应,基于LET等效采用重离子进行试验;对高能质子非直接电离引起的单粒子效应,采用高能质子进行试验;根据地面质子和重离子辐照试验数据,结合空间辐射环境模型,预计由空间质子辐射引起的器件在轨单粒子翻转率。
于庆奎王贺曹爽孙毅孙毅吕贺罗磊莫日根张洪伟梅博刘淑芬韩金华张洪伟罗尹虹
关键词：半导体器件单粒子效应单粒子翻转
高能电子辐照引起的纳米器件翻转效应研究
2021年
随着电子器件特征尺寸的减小,其翻转阈值也在降低,使得空间中的高能电子或可诱发纳米器件产生翻转效应。文章选用28 nm的V7型FPGA作为研究对象,分别采用能量为0.2 MeV和1.5 MeV、注量率为5×10^(8)~1×10^(9)/(cm^(2)·s)的电子进行辐照,结果表明试件产生了明显的翻转效应。结合高能电子作用28 nm器件的仿真结果,经分析可知,1.5 MeV能量的单个电子与器件碰撞不能发生核反应;针对高能电子诱发器件存储单元翻转的几种可能机理,初步认为该器件的翻转是由多个电子同时作用到其中形成局部电荷累积导致的。因此可见,对于电子能量高、通量大的木星等星体的辐射带环境,需考虑高能电子诱发纳米器件翻转对航天器的影响。
吕贺张洪伟梅博梅博莫日根孙毅
关键词：高能电子单粒子翻转电子加速器
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0