胡志远
- 作品数：24 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种SOI器件结构及其制作方法
- 本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区，所述有源区中形成有MOS晶体管；所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间，所述MOS晶...
- 胡志远张正选宁冰旭毕大炜彭超邹世昌
- 文献传递
- 一种SOI ESD两级保护网络
- 本发明提供一种SOI ESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接所述...
- 宁冰旭张正选胡志远彭超樊双邹世昌
- 文献传递
- 一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构
- 本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围...
- 宁冰旭张正选胡志远邹世昌
- 总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响被引量：1
- 2013年
- 本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.
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- 关键词：SOI
- 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
- 2012年
- 研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的关态泄漏电流.这个电流与沟道长度存在一定的关系,沟道长度越短,泄漏电流越大.首次发现辐照会增强这个电流的沟道长度调制效应,从而使得器件进一步退化.
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- 关键词：总剂量效应
- 一种高速低功耗抗双节点翻转锁存器
- 本实用新型涉及一种高速低功耗抗双节点翻转锁存器，包括第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门、自恢复模块、钟控反相器和钟控MCE；所述第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门的输入端均与输入数据端相连，所述自...
- 陈卓张正选毕大炜胡志远
- 一种双栅SOI器件结构及其制作方法
- 本发明提供一种双栅SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底及形成于SOI衬底中并通过浅沟槽隔离结构隔离的MOS晶体管；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极接触、源极接触及漏极接触；所述MOS晶体管还包括背栅...
- 胡志远张正选宁冰旭毕大炜彭超邹世昌
- 文献传递
- 一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构
- 本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围...
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- 文献传递
- 一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法
- 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件...
- 张正选刘张李胡志远宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- 一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构
- 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅...
- 张正选刘张李胡志远宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
