高德友
- 作品数：23 被引量：103H指数：6
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金四川省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术化学工程更多>>
- 高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测被引量：10
- 2002年
- 报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试 .晶体在 4 4 0 0～ 4 5 0 cm- 1范围内的红外透过率达到 5 0 % ,截止吸收波长为 787.6 nm,带隙为 1.5 74 e V,室温电阻率达到 2× 10 1 0 Ω· cm ,已接近本征 Cd0 .8Zn0 .2 Te半导体的理论值 .用该晶体制作的核探测器在室温下对 2 4 1 Am和 1 0 9Cd放射源均有响应 ,并获得了比较好的 2 4 1 Am- 5 9.5 ke V吸收谱 .结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻
- 李奇峰朱世富赵北君蔡力高德友金应荣
- 关键词：单晶生长碲锌镉晶体
- 碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察被引量：8
- 2004年
- 本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。
- 高德友赵北君朱世富王瑞林魏昭荣李含冬韦永林唐世红
- 关键词：碲锌镉单晶体腐蚀坑布里奇曼法半导体材料
- CdZnTe晶体的缺陷能级分析被引量：4
- 2004年
- 通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。
- 韦永林朱世富赵北君王瑞林高德友魏昭荣李含东唐世红
- 关键词：CDZNTE晶体布里奇曼法激活能电阻率
- 气相输运合成PbI_2多晶的热力学研究(英文)
- 2007年
- 本文对PbI2合成反应体系的反应焓变,反应熵增,Gibbs自由能变化和反应平衡常数进行了理论计算,从热力学角度论证了选取PbI2熔点(678K)以上的723K作为体系合成反应控制温度的可行性。在723K的控温工艺下,采用两温区气相输运方法合成出高纯、单相的PbI2多晶材料,XRD分析结果表明符合热力学计算结果的控温工艺能有效地应用于PbI多晶合成。
- 朱兴华赵北君朱世富金应荣何知宇高德友魏昭荣
- 关键词：多晶合成热力学
- 室温半导体核辐射探测器新材料及其器件研究被引量：40
- 2004年
- 本文论述了室温半导体核辐射探测器新材料及其探测器的研究发展过程和最新动态,分别介绍了几种主要室温半导体核辐射探测器新材料晶体的组成、结构、性能及其探测器的制备技术,主要应用情况。结果表明:HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料,用其制作的探测器,可在室温下广泛用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。因此,近年来对大尺寸高质量HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体及其室温核辐射探测器的研究,已成为高技术新材料领域的前沿研究课题。
- 朱世富赵北君王瑞林高德友韦永林
- 关键词：单晶体CDZNTECDSE
- 碲锌镉单晶体的正电子寿命研究被引量：2
- 2006年
- 用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷。刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃。
- 唐世红赵北君朱世富王瑞林高德友陈俊张冬敏何知宇方军洪果
- 关键词：碲锌镉正电子湮没技术退火
- 碲锌镉探测器晶片退火新工艺
- 本文报道了一种CZT探测器晶片退火的新装置和新工艺，该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同成分源退火研究。实验采用自行设计制作的装置在富Cd的同成分CZT粉末源包裹、在400℃下退火120h。晶片的电阻率、红外透过率等...
- 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇陈俊张建军张冬敏方军
- 关键词：电阻率红外透射谱探测器
- 文献传递
- gGaS_2单晶生长与完整性研究被引量：8
- 2001年
- 采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2 多晶 ,计算出晶格常数a=5.7535nm ,c =10 .30 0 8nm ,以及S原子位置x =0 .2 79,与PDF值相差很小 ,表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径 15mm长度 30mm的单晶体 ,经外形观测、解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。
- 朱兴华赵北君朱世富于丰亮邵双运宋芳高德友蔡力
- 关键词：AGGAS2多晶合成单晶生长
- 碲锌镉单晶片的退火方法被引量：2
- 2008年
- 探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究。利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善。XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的Cd组分含量有一定增加。采用该方法退火后,晶体品质有一定提高。
- 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇张冬敏方军程曦
- 关键词：退火电阻率XRD红外透射谱
- Cd_(0.80)Zn_(0.20)Te晶体的生长及性能研究
- 2007年
- 用本实验室合成的Ca0．80Zn0．20Te多晶料为原料，采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Ca0．80Zn0．20Te晶锭。使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析，生长晶体的X射线衍射峰尖锐，摇摆谱对称，表明晶锭的结晶性能较好；用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱，测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小，均匀性较好，电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体；晶体的蚀坑密度在10^3-10^4cm^-2之间，比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级。
- 方军赵北君朱世富何知宇高德友张冬敏程曦王智贤
- 关键词：碲锌镉晶体生长XRD红外光谱
