何炜瑜
- 作品数：7 被引量：4H指数：2
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- Cu(In,Ga)Se2太阳电池的光学优化研究
- 本文对Cu(In,Ga)Se太阳电池进行了系统的光学优化研究,采用干涉矩阵方法计算了Cu(In,Ga)Se太阳电池的表面反射率,用加权平均反射率R作为评价函数,对多层薄膜系统进行了整体的光学优化。通过计算得到了CdS与Z...
- 何炜瑜孙云乔在祥李长健
- 关键词：减反射膜SIOX
- 文献传递
- 衬底温度对共蒸发制备GaSb多晶薄膜性质的影响被引量：2
- 2011年
- 采用共蒸发的方法在玻璃衬底上制备出GaSb多晶薄膜材料。研究了薄膜生长速率与衬底温度、Ga源温度和Sb源温度的关系。通过XRD、UV-Vis、Hall效应和AFM等测试方法,研究了衬底温度对于GaSb薄膜的结构特性、光电性质以及表面形貌的影响。GaSb多晶薄膜具有(111)择优取向,薄膜的吸收系数达到105cm-1,晶粒尺寸随衬底温度升高逐渐增大;衬底温度为540℃时,薄膜的迁移率达到127 cm2/V.s,空穴浓度为3×1017 cm-3。
- 隋妍萍阮建明李涛蔡宏琨何炜瑜张德贤
- 关键词：衬底温度
- 一种GaSb/CdS异质结薄膜热光伏电池的制备方法
- 本发明提供了一种GaSb/CdS异质结薄膜热光伏电池的制备方法，主要考虑到GaSb薄膜表面存在较大缺陷态的问题，在化学水浴法制备CdS过程中采用两步法进行制备，先通过高温和高搅拌速率让溶液中的硫离子渗透到GaSb表面，以...
- 张德贤吴限量蔡宏琨何炜瑜乔在祥
- 文献传递
- Cu(In1-xGax)Se2薄膜沉积过程中富Cu量对薄膜特性的影响
- 本文采用三步共蒸发方法制备Cu(GaxIn1-x)Se2薄膜,在第二步结束达到最大富Cu量时,中断薄膜沉积,形成Cu(GaxIn1-x)Se2与CuxSe的混合相,应用XRF、SEM、XRD、Raman、台阶仪及霍尔效应...
- 何炜瑜孙云敖建平何青刘芳芳李凤岩周志强李长健
- 关键词：电学特性
- 文献传递
- GaSb多晶薄膜的性质研究
- 本文采用共蒸发方法制备GaSb薄膜。XRD测试结果表明,薄膜为多晶结构,具有(111)择优取向;随着衬底温度的升高,薄膜晶粒尺寸增大;光学测试表明,薄膜的吸收系数达到10cm,制备的薄膜的光学带隙为0.726eV;Hal...
- 乔在祥孙云何炜瑜刘玮何青李长健
- 关键词：锑化镓光学带隙
- 文献传递
- 共蒸发制备GaSb多晶薄膜的研究被引量：3
- 2012年
- GaSb的禁带宽度为0.72eV,是热光伏电池的理想材料。采用共蒸发的方法,在普通玻璃衬底上生长GaSb多晶薄膜。通过XRD谱、Hall及透射反射谱测试,研究了Ga、Sb源的蒸发温度、衬底温度以及薄膜厚度对薄膜的结构特性和光电特性的影响。研究表明,随衬底温度的升高、薄膜厚度的增加,晶粒尺寸逐渐增大;随衬底温度的升高、Ga源温度的降低以及厚度的增加,迁移率逐渐上升,迁移率最高可达172cm2/(V.s);随衬底温度的降低、Ga源温度的提高以及厚度的增加,载流子浓度逐渐增加。
- 阮建明隋妍萍李涛何炜瑜蔡宏琨张德贤
- 关键词：HALLXRD
- 热蒸发制备掺杂锑化物薄膜P-N结的方法
- 一种热蒸发制备锑化物薄膜P-N结的方法。该方法包括：将洁净的衬底置于高真空镀膜系统的腔室内，将系统抽至高真空；将衬底加热，并保持在设定温度；在蒸发源中加入掺杂源，采用热蒸发的方法，将各个蒸发源加热，通过共蒸发制备掺杂锑化...
- 隋妍萍何炜瑜乔在祥阮建明李涛张德贤
- 文献传递
