阮建明
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：南开大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 衬底温度对共蒸发制备GaSb多晶薄膜性质的影响被引量：2
- 2011年
- 采用共蒸发的方法在玻璃衬底上制备出GaSb多晶薄膜材料。研究了薄膜生长速率与衬底温度、Ga源温度和Sb源温度的关系。通过XRD、UV-Vis、Hall效应和AFM等测试方法,研究了衬底温度对于GaSb薄膜的结构特性、光电性质以及表面形貌的影响。GaSb多晶薄膜具有(111)择优取向,薄膜的吸收系数达到105cm-1,晶粒尺寸随衬底温度升高逐渐增大;衬底温度为540℃时,薄膜的迁移率达到127 cm2/V.s,空穴浓度为3×1017 cm-3。
- 隋妍萍阮建明李涛蔡宏琨何炜瑜张德贤
- 关键词：衬底温度
- 衬底温度对GaSb多晶薄膜的影响
- Ga Sb的禁带宽度是0.72e V,是热光伏电池的理想材料。本文采用共蒸发的方法在玻璃衬底上生长Ga Sb多晶薄膜。通过XRD谱和Hall测试,研究了衬底温度对薄膜的结构特性和电学特性的影响。研究表明:随衬底温度的升高...
- 阮建明隋妍萍李涛蔡宏琨张德贤
- 关键词：XRDHALL
- GaSb薄膜特性的研究
- GaSb的禁带宽度是0.72eV，为低禁带半导体，是红外探测器和光伏电池的主要材料。用传统的方法获得GaSb电池的代价很高。本文采用共蒸发的方法在衬底上成功制备Gasb薄膜。分别对在相同蒸发源反应温度，不同衬底上得到的G...
- 阮建明隋妍萍蔡宏琨乔在祥张德贤
- 关键词：晶粒尺寸禁带宽度
- 文献传递
- 共蒸发制备GaSb多晶薄膜的研究被引量：3
- 2012年
- GaSb的禁带宽度为0.72eV,是热光伏电池的理想材料。采用共蒸发的方法,在普通玻璃衬底上生长GaSb多晶薄膜。通过XRD谱、Hall及透射反射谱测试,研究了Ga、Sb源的蒸发温度、衬底温度以及薄膜厚度对薄膜的结构特性和光电特性的影响。研究表明,随衬底温度的升高、薄膜厚度的增加,晶粒尺寸逐渐增大;随衬底温度的升高、Ga源温度的降低以及厚度的增加,迁移率逐渐上升,迁移率最高可达172cm2/(V.s);随衬底温度的降低、Ga源温度的提高以及厚度的增加,载流子浓度逐渐增加。
- 阮建明隋妍萍李涛何炜瑜蔡宏琨张德贤
- 关键词：HALLXRD
- 热蒸发制备掺杂锑化物薄膜P-N结的方法
- 一种热蒸发制备锑化物薄膜P-N结的方法。该方法包括：将洁净的衬底置于高真空镀膜系统的腔室内，将系统抽至高真空；将衬底加热，并保持在设定温度；在蒸发源中加入掺杂源，采用热蒸发的方法，将各个蒸发源加热，通过共蒸发制备掺杂锑化...
- 隋妍萍何炜瑜乔在祥阮建明李涛张德贤
- 文献传递
- GaSb多晶薄膜材料的制备和研究
- 热光伏技术(TPV)是通过热光伏电池将各种燃料燃烧释放出的热辐射能转换成可用电能的新型技术。热光伏技术属于光伏电池的第三代技术，由于其广泛的热源来源，此项技术目前被国内外广泛的研究。TPV电池是热光伏技术的主要部分，构成...
- 阮建明
- 关键词：热光伏电池多晶薄膜结构特性光学特性
- 文献传递
