安生
- 作品数：11 被引量：23H指数：3
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 透射电镜CCD数字图像接收处理系统被引量：5
- 1999年
- 本文简单介绍了积累型TV扫描CCD数字成像处理系统,并将该系统成功地安装于北京有色金属研究总院的JEM-2000FX透射电镜上。
- 陈朝庆邵贝羚孙继光刘安生安生
- 关键词：数字图像图像处理透射电镜CCD
- 低压等离子喷涂涂层膜基界面结合能的研究被引量：4
- 2002年
- 用努氏界面印痕法 ,对铁基Ni/Fe、镍基Cu/Ni低压等离子喷涂涂层的膜基界面进行界面结合能的研究 ,分析得到涂层界面的断裂表面能。分析得出铁基纯镍Ni/Fe涂层界面的断裂表面能比镍基铜Cu/Ni涂层的断裂表面能高。界面微观分析表明 ,镍基铜Cu/Ni涂层材料疏松 ,膜基界面存在较多裂纹 ,另外涂层和基体观察不到元素扩散层。Ni/Fe涂层界面结合致密 ,约有 2～ 3 μm的元素扩散层。
- 朱其芳邵贝羚刘安生安生王福生李东飞
- 关键词：低压等离子喷涂涂层
- Si(Ge)MOSFET器件微结构的研究
- 1997年
- 采用横断面的透射电子显微术、扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／ＳｉＯ２非晶层／Ａｌ电极层等组成的；ＳＯＩＳｉ层工作区单晶性良好，很难找到缺陷，缺陷能有效地被限制在工作区两侧的缺陷聚集区；在ＳＯＩＳｉ层和ＧｅＳｉ沟道层之间存在着一些瓣状衬度，它可能是在分子束外延（ＭＢＥ）方法生长ＧｅＳｉ层时所引入的位错环，Ｓｉ细晶层是由无择优取向的、柱状生长的细晶粒组成；
- 刘安生安生邵贝羚王敬付军栾洪发钱佩信
- 关键词：MOSFET微结构多层膜电子显微术
- Ni/Fe低压等离子喷涂界面微结构及界面断裂的研究
- 2002年
- 采用透射电镜 (TEM)、X射线能量散射谱 (EDS)等方法研究了Ni Fe低压等离子喷涂界面的微结构特征。试验结果表明 :Ni Fe试样界面结合良好 ,界面层为晶态Fe和Ni的氧化物 ,上面弥散分布着纳米尺寸的 (Fe ,Ni)金属间化合物相 ,界面区存在明显的元素扩散。本文对Ni
- 李东飞邵贝羚刘安生安生朱其芳
- 关键词：微结构低压等离子喷涂
- P－MOSFET的TEM研究被引量：2
- 1996年
- Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人...
- 刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信
- 关键词：P-MOSFETTEM场效应器件
- 红外探测器中的异质界面和缺陷的研究
- 2000年
- 刘安生邵贝羚安生刘峥王敬
- 关键词：红外探测器
- 金属基低压等离子喷涂界面的结合性能及微结构研究被引量：10
- 2001年
- 采用奴氏印痕法、X射线衍射技术 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、X射线能量散射谱 (EDS)等方法研究了Ni/Fe ,Cu/Ni低压等离子喷涂材料的喷涂界面结合性能及微结构特征。喷涂界面的结合性能与其微结构、微成分特征密切相关。Ni/Fe试样具有结合良好的界面 ,界面层为在晶态 (Fe ,Ni)氧化物上弥散分布着纳米级 (Fe,Ni)金属间化合物细晶的结构 ,界面区有明显的元素扩散 ;Cu/Ni试样喷涂界面层为典型的非晶相 ,界面区未见明显的元素扩散。不同微观特征的喷涂界面对应的宏观界面结合性能有明显差异 ,Ni/Fe喷涂界面结合强度明显优于Cu/Ni喷涂界面。对Ni/Fe。
- 李东飞邵贝羚刘安生安生朱其芳
- 关键词：微结构低压等离子喷涂非晶相
- P^+-Si_(1-x)Ge_x/p-Si红外探测器微结构的研究
- 1998年
- 随着遥感遥测科学技术的发展和军事上的需要，红外探测器及红外焦平阵列的应用日益迫切［１］。Ｐ＋－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器因其具有易和ＣＭＯＳ或ＣＣＤ读出电路实现单片集成，工艺简单，成本较低，可同时工作于３～５μｍ和８～１４μｍ...
- 刘安生邵贝羚安生刘峥徐军王瑞忠钱佩信
- 关键词：微结构异质结红外探测器
- 红外探测器中的异质界面和缺陷的研究
- 刘安生邵贝羚安生刘峥王敬
- 文献传递
- 层叠结构的Si_(0.65)Ge_(0.35)/Si红外探测器的微结构研究
- 1999年
- 采用定位的横断面透射电子显微术观察了P+Si065Ge035/pSi异质结内光发射红外探测器的微结构.该器件光敏区由6层p+Si065Ge035和5层UDSi层组成,每层都比较平整,各层厚度分别为6nm和32nm.在Si065Ge035/UDSi界面处存在应力场,但未观察到晶体缺陷.非晶SiO2台阶上的Si065Ge035和UDSi层是波浪状的多晶层.光敏区的边界处存在小于120nm宽的缺陷区。
- 刘安生邵贝羚安生刘峥王敬王瑞忠钱佩信
- 关键词：红外探测器异质结半导体器件微结构
