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刘峥

作品数：10 被引量：9H指数：2
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇微结构
  • 5篇红外
  • 5篇红外探测
  • 5篇红外探测器
  • 3篇异质结
  • 3篇微结构研究
  • 2篇硅片
  • 2篇半导体
  • 2篇SI
  • 2篇SOI
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电镜
  • 1篇电路
  • 1篇电子显微术
  • 1篇再结晶
  • 1篇射电
  • 1篇损伤层
  • 1篇透射电镜

机构

  • 10篇北京有色金属...
  • 4篇清华大学
  • 2篇北京大学

作者

  • 10篇刘峥
  • 8篇邵贝羚
  • 7篇刘安生
  • 6篇钱佩信
  • 5篇安生
  • 5篇王敬
  • 4篇王瑞忠
  • 2篇尤重远
  • 2篇李永洪
  • 2篇徐军
  • 2篇张椿
  • 2篇翟富义
  • 1篇张鹏飞
  • 1篇杨景铭
  • 1篇王红卫

传媒

  • 3篇稀有金属
  • 2篇Journa...
  • 2篇电子学报
  • 2篇电子显微学报
  • 1篇第十一次全国...

年份

  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
定域再结晶SOI的透射电镜研究
1995年
高频感应石墨条加热快速区熔再结晶工艺制备的无籽晶热沉积结构（Ｈｅａｔ－ＳｉｎｋＳｔｒｕｃ－ｔｕｒｅ）ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）硅薄膜具有［１００］取向，其缺陷被限制在厚ＳｉＯ２层上的硅膜中，使薄的ＳｉＯ２层上的硅膜成为无缺陷单晶区，宽度可达５０μｍ以上，在缺陷聚集区观察到的缺陷主要是小角度晶界，绝大多数晶界的取向差都在３°之内．其类型多为混合型晶界，也观察到少量的扭转型和倾斜型晶界．缺陷聚集区中的位错或位错网络的走向是各种各样的，但其位错的柏氏矢量．
刘安生邵贝羚李永洪刘峥张鹏飞钱佩信
关键词：SOI再结晶透射电镜硅薄膜
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究
1996年
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ...
刘峥翟富义张椿尤重远
关键词：硅片吸除集成电路
红外探测器微结构的HREM观察被引量：1
1999年
采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术（ＨＲＥＭ）观察了Ｐ＋ －Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／Ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器的微结构．该器件光敏区是由３ 层Ｐ＋ －Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和２ 层ＵＤ－Ｓｉ（未掺杂硅）组成，Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ＵＤ－Ｓｉ层间界面不明锐，有一个由于Ｇｅ 原子不均匀扩散造成的过渡带．这个过渡带缓和了界面的失配应力，因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变．在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区，缺陷的主要类型为层错和微孪晶．层错在（１　１１）面上，而微孪晶的厚度约为２～４晶面间距，其孪晶面为（１　１１）．非晶ＳｉＯ２ 台阶上的Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和ＵＤ－Ｓｉ层由随机形核生长的多晶组成。
刘峥邵贝羚刘安生王敬王瑞忠钱佩信
关键词：红外探测器微结构HREM
P〈111〉硅磨片表面损伤的研究被引量：5
1997年
Ｐ〈１１１〉硅磨片表面损伤的研究刘峥翟富义张椿尤重远（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅片损伤层位错１引言自５０年代中期以来，一直进行着硅单晶片表面质量方面的研究工作。观测晶片表面机械损伤层的深度，性质及其在高温工艺过程中的变化等工作...
刘峥翟富义张椿尤重远
关键词：硅片损伤层位错单晶硅
红外探测器中的异质界面和缺陷的研究
2000年
刘安生邵贝羚安生刘峥王敬
关键词：红外探测器
红外探测器中的异质界面和缺陷的研究
刘安生邵贝羚安生刘峥王敬
文献传递
反射条结构激光再结晶SOI的微结构研究
1996年
用平面和横断面电子显微术研究了反射条结构激光再结晶ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）的微结构和微缺陷，实验观察表明，正常工艺条件下，经激光再结晶处理后硅膜可分为三个不同的区域：中间为单晶区，膜面取向为［１００］；两侧为再结晶大晶粒区；最外侧为尚未再结晶的多晶区．当工艺条件不适当时，在＂单晶区＂中存在亚晶界和大角晶界；在＂单晶区＂两侧，有排列整齐的１８０°微孪晶，孪晶面为｛１１１｝．再结晶大晶粒的取向没有规律性，多晶区由具有明显织构的柱状晶组成，文中讨论了缺陷出现的原因．
刘峥邵贝羚李永洪王红卫杨景铭钱佩信
关键词：SOI激光再结晶微结构微缺陷
P^+-Si_(1-x)Ge_x/p-Si红外探测器微结构的研究
1998年
随着遥感遥测科学技术的发展和军事上的需要，红外探测器及红外焦平阵列的应用日益迫切［１］。Ｐ＋－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器因其具有易和ＣＭＯＳ或ＣＣＤ读出电路实现单片集成，工艺简单，成本较低，可同时工作于３～５μｍ和８～１４μｍ...
刘安生邵贝羚安生刘峥徐军王瑞忠钱佩信
关键词：微结构异质结红外探测器
二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用被引量：3
1998年
阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法，介绍了一种新的试样制备方法，讨论了各种制样方法的特点。以多层Ｐ＋Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ｐＳｉ异质结内光发射红外探测器为例，介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用。将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较，讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景。
刘安生邵贝羚安生王敬刘峥徐军王瑞忠王瑞忠
关键词：二次电子半导体电子显微术微结构
层叠结构的Si_(0.65)Ge_(0.35)/Si红外探测器的微结构研究
1999年
采用定位的横断面透射电子显微术观察了P+Si065Ge035/pSi异质结内光发射红外探测器的微结构.该器件光敏区由6层p+Si065Ge035和5层UDSi层组成,每层都比较平整,各层厚度分别为6nm和32nm.在Si065Ge035/UDSi界面处存在应力场,但未观察到晶体缺陷.非晶SiO2台阶上的Si065Ge035和UDSi层是波浪状的多晶层.光敏区的边界处存在小于120nm宽的缺陷区。
刘安生邵贝羚安生刘峥王敬王瑞忠钱佩信
关键词：红外探测器异质结半导体器件微结构
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