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庞恩文

作品数：4 被引量：14H指数：2
供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇铜布线
  • 2篇电路
  • 2篇阻挡层
  • 2篇扩散阻挡层
  • 2篇集成电路
  • 2篇封装
  • 2篇ANSYS
  • 1篇淀积
  • 1篇淀积速率
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇三维模型
  • 1篇塑料封装
  • 1篇维模型
  • 1篇芯片
  • 1篇钽
  • 1篇CSP封装
  • 1篇超大规模集成
  • 1篇超大规模集成...
  • 1篇大规模集成电...

机构

  • 4篇复旦大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 4篇庞恩文
  • 3篇宗祥福
  • 3篇林晶
  • 2篇戎瑞芬
  • 2篇汪荣昌
  • 1篇吉小松
  • 1篇郁芳

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...

年份

  • 4篇2002
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
vfBGA内部芯片断裂问题被引量：2
2002年
利用 ANSYS软件以有限元分析的方法研究了 vf BGA器件内部芯片断裂问题 .通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小 .根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断裂的原因 .研究发现 。
庞恩文林晶郁芳宗祥福
关键词：有限元分析ANSYS集成电路塑料封装
钽薄膜淀积速率与阻挡效果的研究被引量：5
2002年
在硅衬底上用不同淀积速率溅射得到了 60 nm厚钽薄膜作为铜布线工艺中的扩散阻挡层。样品在退火前后 ,用二次离子质谱仪 (SIMS)对钽膜的阻挡效果进行鉴定 ,原子力显微镜 (AFM)分析了钽薄膜的形貌结构。研究发现不同淀积速率制作的钽膜由于其结构的差异对铜硅互扩散有着不同的阻挡效果 ,并提出样品在退火时 。
庞恩文林晶吉小松汪荣昌戎瑞芬宗祥福
关键词：淀积速率铜布线超大规模集成电路
铜布线工艺中阻挡层钽膜的研究被引量：8
2002年
从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的 60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果 ,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜的淀积速率来控制。研究发现 ,适当的硅衬底表面处理对钽膜是否能产生良好的防扩散能力起着关键的作用。本研究还得到了能有效阻挡铜硅接触的钽膜的淀积速率。
庞恩文林晶汪荣昌戎瑞芬宗祥福
关键词：铜布线扩散阻挡层钽
铜布线阻挡层与CSP封装中的失效分析
第一部分是针对铜布线工艺中钽阻挡层失效问题的研究.研究发现钽薄膜制备过程中,硅衬底表面清洁度对钽膜阻挡效果有很大的影响,适当的硅衬底表面清洁处理控制着钽膜的质量,是得到良好阻挡效果的必要条件;其次是对以不同淀积速率制备的...
庞恩文
关键词：铜布线扩散阻挡层ANSYS三维模型
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