彭同华
- 作品数：35 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 碳化硅晶体制备技术
- 陈小龙吴星胡伯清李龙远彭同华王皖燕倪代秦鲍慧强张贺刘春俊王波王文军许燕萍朱丽娜
- 碳化硅(SiC)作为重要的第三代半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料，在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值，因此成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。物理气相传输...
- 关键词：
- 关键词：半导体材料
- SiC晶体中类似平面六方空洞缺陷研究
- SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求而受到人们越来越多的关注。但SiC晶体生长过程中仍有很多缺陷有待研究,如微管,位错等[1]。在掺N的6...
- 王波彭同华刘春俊赵宁陈小龙
- 关键词：SIC单晶掺杂
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- 半绝缘碳化硅单晶
- 公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度。该半绝缘碳化硅单...
- 陈小龙刘春俊彭同华李龙远王刚刘宇
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- 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
- 本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸...
- 陈小龙彭同华杨慧王文军倪代秦王皖燕
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- 半绝缘SiC晶体最新研究进展
- 碳化硅(SiC)是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有很大
- 彭同华鲍慧强刘春俊王波李龙远张贺张玮郭钰王锡铭陈小龙
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- Ru/SiC接触特性研究
- Ru是Pt族金属,已被成功用作n型或P型6H-SiC的整流电极。其功函数为5.4eV,具有熔点高(2400℃),化学稳定性好,在其它金属中的固溶度低的特点。采用直流磁控溅射法在n-SiC的Si面制备好金属电极后,将样品于...
- 杨慧彭同华王文军王皖燕陈小龙
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- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
- 王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
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- 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
- 本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸...
- 陈小龙彭同华杨慧王文军倪代秦王皖燕
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- 碳化硅晶体表面损伤层去除和表面重构
- 碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,是制作高亮度发光二极管、场效应晶体管等器件的理想衬底材料[1]。碳化硅晶片在机械加工过程中会引入损伤,使得晶片表面有序的晶格排列被破坏。而碳化...
- 郭钰彭同华蔡振立陈小龙
- 关键词：碳化硅损伤层
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
- 王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
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