刘春俊
- 作品数：15 被引量：14H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
- 王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
- 文献传递
- 籽晶极性对4H-SiC晶体生长的影响
- 本研究着重研究了籽晶极性对4H-SiC晶体的晶型、电学性质以及杂质含量的影响，分析了籽晶极性对SiC晶体生长的影响机理。
- 刘春俊彭同华王波赵宁王锡明娄艳芳陈小龙
- 关键词：碳化硅晶体生长半导体材料
- 在氮气气氛下生长3C-SiC晶体
- 研究小组开展了在N2气氛下采用物理气相传输法生长3C-SiC晶体的研究。实验结果发现，采用4H (000-1)面籽晶能生长出3C-SiC，但是在4H(000-1)面上3C-SiC多为二维岛状生长，目前还不能生长较大尺寸的...
- 王顺冲王刚孙伟刘春俊陈小龙
- 关键词：碳化硅晶体生长半导体材料
- 一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法
- 本发明公开了一种碳化硅欧姆电极结构及其制备方法。该碳化硅的欧姆电极结构包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。本发明的碳化硅欧姆电极结构的接触电阻低且稳定性好。
- 陈小龙郭丽伟刘春俊
- 文献传递
- 碳化硅晶体制备技术
- 陈小龙吴星胡伯清李龙远彭同华王皖燕倪代秦鲍慧强张贺刘春俊王波王文军许燕萍朱丽娜
- 碳化硅(SiC)作为重要的第三代半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料，在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值，因此成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。物理气相传输...
- 关键词：
- 关键词：半导体材料
- 宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展被引量：14
- 2012年
- 本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
- 彭同华刘春俊王波王锡铭郭钰赵宁李龙远刘宇黄青松贾玉萍王刚郭丽伟陈小龙
- 关键词：SIC晶体单晶生长晶片加工磁性
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
- 王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
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- 半绝缘碳化硅单晶材料
- 本发明公开了一种半绝缘碳化硅单晶材料。该半绝缘碳化硅单晶或单晶片具有室温下大于1E5Ω·cm的电阻率，热退火后电阻率保持大于1E5Ω·cm。半绝缘碳化硅单晶或单晶片中至少含有一种补偿掺杂剂，该掺杂剂的电子能级距离碳化硅带...
- 陈小龙刘春俊彭同华李龙远王文军
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- 用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件
- 本发明涉及一种用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件。该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12)，产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16)，所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。由于4H...
- 陈小龙王顺冲彭同华王刚刘春俊王文军金士锋
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- 籽晶极性对4H-SiC晶体生长的影响
- ＜正＞SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点[1],其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压...
- 刘春俊彭同华王波赵宁王锡明娄艳芳陈小龙
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