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李秀圣

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：大连理工大学更多>>
发文基金：辽宁省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重大基础研究前期研究专项更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇等离子体处理
  • 1篇电路
  • 1篇电学
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇氧化硅
  • 1篇态密度
  • 1篇离子注入
  • 1篇界面过渡区
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇集成电路
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇SIC
  • 1篇SIO
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...
  • 1篇4H-SIC

机构

  • 2篇大连理工大学

作者

  • 2篇李秀圣
  • 1篇朱巧智
  • 1篇王德君
  • 1篇赵亮

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiO_2/SiC界面过渡区结构研究被引量：1
2008年
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。
朱巧智王德君赵亮李秀圣
关键词：4H-SIC
SiO<,2>/SiC界面氮氢等离子体处理及电学特性研究
碳化硅(SiC)由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性，使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应用前景。与其它宽禁带半导体相比，SiC最大的优势在于能通过热氧化生成本征氧化物二氧化硅(Si...
李秀圣
关键词：集成电路二氧化硅界面态密度离子注入
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