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李秀圣
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
大连理工大学
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发文基金:
辽宁省自然科学基金
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
国家重大基础研究前期研究专项
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
赵亮
大连理工大学电子科学与技术学院
王德君
大连理工大学电子科学与技术学院
朱巧智
大连理工大学电子科学与技术学院
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4H-SIC
机构
2篇
大连理工大学
作者
2篇
李秀圣
1篇
朱巧智
1篇
王德君
1篇
赵亮
传媒
1篇
半导体技术
年份
1篇
2009
1篇
2008
共
2
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SiO_2/SiC界面过渡区结构研究
被引量:1
2008年
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1~1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。
朱巧智
王德君
赵亮
李秀圣
关键词:
4H-SIC
SiO<,2>/SiC界面氮氢等离子体处理及电学特性研究
碳化硅(SiC)由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性,使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应用前景。与其它宽禁带半导体相比,SiC最大的优势在于能通过热氧化生成本征氧化物二氧化硅(Si...
李秀圣
关键词:
集成电路
二氧化硅
界面态密度
离子注入
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