杨经伟
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金北京市教委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 微波功率SiGe HBT的温度特性及分析
- 本文通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系,发现SiGeHBT的BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT,从而在温度特性方面证明了SiGeHBT更适合做微波功率器件.
- 杨经伟金冬月张万荣邱建军高攀
- 关键词：异质结双极型晶体管温度特性微波功率晶体管
- 文献传递
- 多指功率GeSi HBTs的非等值发射极镇流电阻优化设计
- 微波功率GeSi HBTs(Heterojunction Bipolar Transistors,异质结双极晶体管)经常采用多指结构,通常每指上采用等值的发射极镇流电阻来提高器件的热稳定性。自热和指间的热耦合效应,使热分...
- 邱建军张万荣高攀杨经伟金冬月
- 关键词：微波功率异质结双极晶体管镇流电阻
- 文献传递
- 射频功率异质结双极晶体管自加热效应及补偿方法
- 本文从器件Ⅰ～Ⅴ特性的角度表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应.研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(△EV)等诸多因素对器件I-V特性的影响.进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热...
- 金冬月杨经伟张万荣吴春瑜朱连仓
- 关键词：异质结双极晶体管I-V特性镇流电阻
- 文献传递
- 微波功率SiGe HBT的可靠性研究及退化模型的建立
- 本文研究了SiGeHBT在OC应力(集电极开路,发射结反向偏置)、FC应力(集电结正向偏置,发射结反向偏置)以及热应力下的退化现象.发现基极电流变化量△IB是应力的敏感参数,由此建立了IB的退化模型,并成功地解释了实验现...
- 杨经伟高攀邱建军金冬月张万荣刘黎明朱连仓
- 关键词：SIGEHBT可靠性
- 文献传递
- 射频功率异质结双极晶体管热稳定性的一种新表征方法
- 本文从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(△EV)、重掺杂禁带变窄(△Eg)及基极和发射极加入镇流电阻(RB和RE)等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式.用...
- 金冬月杨经伟张万荣吴春瑜朱连仓
- 关键词：异质结双极晶体管镇流电阻
- 文献传递
- 微波功率SiGe HBT热不稳定性改善技术研究
- 异质结双极型晶体管(HBT)在微波功率领域具有举足轻重的地位。在功率应用时，晶体管本身内部产生的耗散功率导致自热效应，使晶体管的电学性能产生退化;同时，功率晶体管通常采用多发射极条阵列结构，但由于各发射极条之间的热耦合效...
- 杨经伟
- 关键词：异质结双极晶体管自热效应
- 文献传递
- 微波功率SiGe HBT的温度特性
- 2006年
- 通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.
- 杨经伟张万荣金冬月邱建军高攀
- 关键词：SIGEHBT温度特性微波功率晶体管
- 多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量：1
- 2006年
- 利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。
- 张万荣何莉剑谢红云杨经伟金冬月肖盈沙永萍王扬张蔚
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管热电耦合
