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殷江

作品数：80 被引量：39H指数：3
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河南省教育厅科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 55篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇电子电信
  • 10篇一般工业技术
  • 8篇电气工程
  • 8篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 1篇水利工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇政治法律

主题

  • 13篇陶瓷靶材
  • 13篇靶材
  • 13篇存储器
  • 11篇SUB
  • 11篇场效应
  • 10篇铁电
  • 10篇介电
  • 10篇衬底
  • 9篇纳米
  • 9篇晶体
  • 9篇晶体管
  • 9篇并五苯
  • 9篇场效应晶体管
  • 9篇存储器件
  • 8篇有机场效应晶...
  • 8篇脉冲激光
  • 8篇介电系数
  • 8篇半导体
  • 7篇氧化物薄膜
  • 7篇记忆

机构

  • 79篇南京大学
  • 3篇安阳师范学院
  • 3篇河南大学
  • 2篇江苏大学
  • 2篇南京理工大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇镇江师范专科...
  • 1篇中国药科大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇湖北理工学院

作者

  • 79篇殷江
  • 57篇刘治国
  • 39篇夏奕东
  • 12篇国洪轩
  • 10篇汤振杰
  • 10篇徐波
  • 6篇高立刚
  • 5篇沈波
  • 5篇张荣
  • 5篇李卫平
  • 5篇陈亮
  • 5篇高旭
  • 4篇周玉刚
  • 4篇陈鹏
  • 4篇顾书林
  • 4篇施毅
  • 4篇毕朝霞
  • 4篇陈志忠
  • 3篇郑有炓
  • 3篇李爱东

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇南京大学学报...
  • 2篇Journa...
  • 2篇河南大学学报...
  • 2篇2000年中...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科学基金
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国材料进展
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 8篇2011
  • 11篇2010
  • 10篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
共 80 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种栅电介质材料立方相HfO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法
一种栅电介质材料立方相HfO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，通过掺杂Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>获得稳定的立方相的HfO<Sub>2</Sub>薄膜，Y<Sub>2</Sub>O<Sub...
石磊周越刘治国殷江
文献传递
一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法及结构
一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法，在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源与漏电极的有机场效应晶体管器件中，聚合物介质和并五苯之间设置一n‑型半导体薄膜过渡层；n‑型半导体过渡层厚度为1‑100nm...
康利民王一如殷江夏奕东
一种高介电系数复合氧化物电荷存储介质薄膜及应用
一种高介电系数复合氧化物电荷俘获介质薄膜，其化学组分是两种或两种以上高介电系数氧化物的混合物；复合氧化物薄膜呈非晶状态；复合氧化物薄膜的化学组分用化学式(AO<Sub>m</Sub>)<Sub>x</Sub>(BO<Su...
魏春阳殷江徐波夏奕东刘治国
文献传递
非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用
本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿...
汤振杰夏奕东殷江刘治国
阻变氧化物材料的Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>薄膜和制备方法及其应用
一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>，薄膜厚度为200nm，其制备方法是：(1)CoO<Sub>x</Sub>(0＜x＜4/3)陶瓷靶材的制备；...
殷江高旭季剑锋夏奕东刘治国
文献传递
一种自清洁氧化物薄膜和制备方法及其应用
一种自清洁氧化物薄膜是由不同价态金属离子X掺杂的SrTiO<Sub>3</Sub>，用公式X:SrTiO<Sub>3</Sub>表示，其中X为Cr<Sup>3+</Sup>、Zn<Sup>2+</Sup>、Al<Sup>...
殷江刘治国
文献传递
类石墨烯单层结构ZnO和GaN的压电特性对比研究被引量：2
2021年
本研究采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了类石墨烯单层结构ZnO(g-ZnO)和GaN(g-GaN)的力学、电学和压电性质,重点研究了施加应变后原子坐标弛豫与否的Clamped-ion和Relaxed-ion两种模式的弹性刚度系数和压电张量。结果表明单层g-ZnO和g-GaN均具有半导体属性和较好的弹性。单层g-ZnO和g-GaN的压电系数分别约为9.4和2.2 pm·V^(–1),预测这类单层材料在极薄器件中可能具有压电效应,且g-ZnO的压电性能更好。因此,类石墨烯单层ZnO有望用于压力传感器、制动器、换能器及能量收集器等纳米尺度器件。
向晖全慧胡艺媛赵炜骞徐波殷江
关键词：压电电子结构ZNOGAN
一种反射式荧光玻璃光转换组件的制备及应用
一种反射式荧光玻璃光转换组件，包括三层材料：玻璃基板、反射剂玻璃涂层及荧光玻璃涂层；反射剂玻璃涂层是质量比为150:1～100:150的玻璃B的粉末与反射剂C成分，荧光玻璃涂层含有荧光体D的玻璃涂层烧结在玻璃基板上，反射...
殷江陆建新
文献传递
一种In<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>相变记忆元件及其制备方法
一种In<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>相变记忆元件及其制备方法，采用In<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>薄膜为相变记忆存储材料，所述In<Sub>2</Sub>Te<Sub>3<...
殷江朱颢夏奕东刘治国
文献传递
非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用
本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿...
汤振杰夏奕东殷江刘治国
文献传递
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