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王栋良
作品数:
5
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供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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相关领域:
化学工程
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合作作者
袁媛
中国科学院上海微系统与信息技术...
罗乐
中国科学院上海微系统与信息技术...
徐高卫
中国科学院上海微系统与信息技术...
刘金宁
中国科学院上海微系统与信息技术...
刘正新
中国科学院上海微系统与信息技术...
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5篇
中文专利
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化学工程
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3篇
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电子封装
2篇
氧气
2篇
载流子
2篇
热处理炉
2篇
热氧化
2篇
热应力
2篇
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2篇
微电子封装
2篇
均匀性
2篇
扩散剂
2篇
焊接温度
2篇
封装
1篇
凸点
1篇
无铅
1篇
干法腐蚀
机构
5篇
中国科学院
作者
5篇
王栋良
3篇
徐高卫
3篇
罗乐
3篇
袁媛
2篇
刘正新
2篇
刘金宁
年份
1篇
2018
1篇
2016
1篇
2013
1篇
2012
1篇
2011
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一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法
本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法,其特征在于:①首先以硅片为基底,热氧化形成二氧化硅绝缘层;②在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu;③之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In,Cu层厚度为3-5微...
王栋良
罗乐
徐高卫
袁媛
文献传递
一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法
本发明涉及一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法,其特征在于采用分步电镀法在芯片基板上电镀三元无铅焊料。首先以硅片为基底,热氧化形成二氧化硅绝缘层后正面溅射铝导电层,沉积二氧化硅钝化层,光刻并干法腐蚀钝化层开口,...
王栋良
罗乐
徐高卫
袁媛
文献传递
一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法
本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法,其特征在于首先以硅片为基底,热氧化形成二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu,之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In,Cu层厚度为3-5微米,而后...
王栋良
罗乐
徐高卫
袁媛
一种n型硅片热处理方法
本发明提供一种n型硅片热处理方法,所述热处理方法至少包括:提供待处理的n型硅片,将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中,升温至一定值,往所述热处理炉中通入氧气,并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂,以在...
刘正新
祝方舟
王栋良
刘金宁
文献传递
一种n型硅片热处理方法
本发明提供一种n型硅片热处理方法,所述热处理方法至少包括:提供待处理的n型硅片,将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中,升温至一定值,往所述热处理炉中通入氧气,并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂,以在...
刘正新
祝方舟
王栋良
刘金宁
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