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王栋良

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇电镀
  • 3篇焊料
  • 3篇SN-AG
  • 2篇电子封装
  • 2篇氧气
  • 2篇载流子
  • 2篇热处理炉
  • 2篇热氧化
  • 2篇热应力
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子封装
  • 2篇均匀性
  • 2篇扩散剂
  • 2篇焊接温度
  • 2篇封装
  • 1篇凸点
  • 1篇无铅
  • 1篇干法腐蚀

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇王栋良
  • 3篇徐高卫
  • 3篇罗乐
  • 3篇袁媛
  • 2篇刘正新
  • 2篇刘金宁

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法
本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于：①首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层；②在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu；③之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微...
王栋良罗乐徐高卫袁媛
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一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法
本发明涉及一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法，其特征在于采用分步电镀法在芯片基板上电镀三元无铅焊料。首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层后正面溅射铝导电层，沉积二氧化硅钝化层，光刻并干法腐蚀钝化层开口，...
王栋良罗乐徐高卫袁媛
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一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法
本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu，之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后...
王栋良罗乐徐高卫袁媛
一种n型硅片热处理方法
本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在...
刘正新祝方舟王栋良刘金宁
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一种n型硅片热处理方法
本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在...
刘正新祝方舟王栋良刘金宁
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