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陈波

作品数：13 被引量：4H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划浙江省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信理学医药卫生轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇学位论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 6篇SOI_LD...
  • 5篇沟道
  • 4篇槽栅
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅栅
  • 3篇氧化层
  • 3篇跨导
  • 3篇硅栅
  • 2篇隐身
  • 2篇散射
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇热学性能
  • 2篇离子注入
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇沟槽
  • 2篇放大器
  • 1篇导体
  • 1篇电磁

机构

  • 13篇杭州电子科技...

作者

  • 13篇陈波
  • 7篇张海鹏
  • 7篇许生根
  • 5篇李浩
  • 2篇齐瑞生
  • 1篇耿友林
  • 1篇孙伟刚

传媒

  • 1篇科技通报
  • 1篇杭州电子科技...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2015
  • 2篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2010
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单系统电脑横机控制软件设计与实现
随着生活水平的提高，人们对针织服装的要求也逐步趋向时尚化、舒适化和个性化，传统的手摇横机已经无法满足人们对针织产品的发展要求，电脑横机的出现，是当前针织行业发展的主要方向，而控制系统是电脑横机的核心，它主要实现横机电脑自...
陈波
关键词：针织行业控制软件程序设计系统开发
文献传递
一种自偏置预失真线性功率放大器被引量：1
2010年
该文提出了一种用中芯国际0.18μm工艺设计的自偏置预失真AB类功率放大电路电路结构。电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置电路,在第二级电路中采用预失真电路。该次设计采用Agilent的ADS软件对电路进行模拟,在2.4GHz频率下,1dB压缩点的输出功率为22.5dBm,此时的PAE是25.1%。
陈波张海鹏许生根齐瑞生
关键词：功率放大器自偏置预失真共源共栅线性化
双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究被引量：1
2011年
提出了一种具有双槽栅(DTG)SOI LDMOS新结构及其制造方法。与单槽栅(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的击穿电压,更低的通态电阻,更高的跨导。通过Silvaco TCAD对该结构进行了工艺仿真和器件电学特性模拟,结果表明DTG SOI LDMOS器件不仅具有较好的电学性能,而且可以采用SOI CMOS工艺制造。
许生根张海鹏齐瑞生陈波
关键词：SOILDMOS电学特性
地下多层介质涂覆导体圆柱电磁散射的解析解及隐身优化研究
近年来,掩埋物体的电磁散射研究日趋火热,这得益于其在隧道、管道探测、地球物理勘探、皮肤肿瘤检测等领域的广泛应用,同时涂覆物体的隐身与反隐身、雷达的设计与评估也是重要的研究领域。针对这一热点,本文利用镜像法、Bessel函...
陈波
关键词：电磁散射BESSEL函数遗传算法
集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本发明涉及一种集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅栅，第...
张海鹏许生根陈波李浩
一种集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本实用新型涉及一种集成双纵向沟道SOILDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅...
张海鹏许生根陈波李浩
文献传递
制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法
本发明涉及一种制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有双纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现双纵向槽栅结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向...
张海鹏许生根陈波李浩
射频功率放大器及LC压控振荡器的研究
近年来，随着无线通信技术的迅速发展，高传输速率、低成本成为目前移动通信系统(3G、4G等)和各种无线接入方式(无线局域网、全球微波互联接入、蓝牙等)及物联网的发展趋势。而数据的调制方式越来越复杂，这对射频集成电路的性能提...
陈波
关键词：射频集成电路功率放大器CMOS工艺压控振荡器
文献传递
集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本发明涉及一种集成双纵向沟道SOILDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅栅，第一...
张海鹏许生根陈波李浩
文献传递
CA的符号动力学研究
细胞自动机(Cellular Automata,简称CA),由John von Neumann于1951年正式提出,是时间、空间和状态均离散的动力系统.自其产生以来,越来越多科研工作者投入到CA的理论分析和应用研究中.在...
陈波
关键词：符号动力学细胞自动机滑翔机
文献传递
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