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孙新

作品数：31 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇通孔
  • 8篇晶圆
  • 8篇互连
  • 7篇微电子
  • 6篇制作方法
  • 6篇互连结构
  • 5篇面阵
  • 5篇焦平面
  • 5篇焦平面阵列
  • 5篇红外
  • 5篇红外焦平面
  • 5篇红外焦平面阵...
  • 5篇封装
  • 4篇电路
  • 4篇信号
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇芯片
  • 4篇互联
  • 4篇键合

机构

  • 31篇北京大学
  • 1篇北京信息科技...

作者

  • 31篇孙新
  • 29篇金玉丰
  • 29篇缪旻
  • 25篇马盛林
  • 21篇朱韫晖
  • 6篇朱蕴晖
  • 5篇方孺牛
  • 4篇王贯江
  • 2篇朱智源
  • 2篇赵立葳
  • 2篇于民
  • 1篇孟祥云
  • 1篇张雅聪
  • 1篇陈蒙
  • 1篇鲁文高
  • 1篇陈中建
  • 1篇王冠男
  • 1篇刘晨晨
  • 1篇陈晓璐
  • 1篇许一超

传媒

  • 1篇测试技术学报

年份

  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 8篇2013
  • 6篇2012
  • 10篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇1995
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种通孔互连结构的制作方法
本发明公开了一种通孔互连结构的制作方法，包括在基片上制作盲孔，然后依次淀积种子层和有机物薄膜，贴干膜，并通过光刻在盲孔处形成小于盲孔口径的干膜开口，然后刻蚀去除盲孔底部的有机物薄膜，暴露出种子层，再对盲孔进行填充。进一步...
朱韫晖马盛林孙新缪旻金玉丰
超薄芯片垂直互联封装结构及其制造方法
本发明公开了一种超薄芯片垂直互联封装结构及其制造方法。该结构包括由上至下依次叠放在一起的顶层、中介层和底层，所述中介层具有TSV垂直互联结构，所述中介层的正面和反面分别具有至少一层重新布局互联层，且分别具有微焊球或焊垫；...
马盛林孙新朱韫晖金玉丰缪旻
一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法
本发明公开了一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的压阻式加速度传感器包括含有硅通孔阵列的质量块，含硅通孔的硅基边框，多个弹性梁，压敏电阻及半导体底板；所述质量块位于加速度传感器中央...
朱智源于民朱韫晖孙新陈兢缪旻金玉丰
文献传递
半导体辐射敏感装置及其制作方法
本发明涉及半导体传感器领域，公开了一种半导体辐射敏感装置及其制作方法，该装置包括至少一个辐射敏感单元，辐射敏感单元包括：第一基体、第一柱状电极和第二柱状电极；第一基体包含第一表面和第二表面；第一柱状电极包含第一金属柱和环...
马盛林朱韫晖孙新金玉丰陈兢缪旻
文献传递
一种叠层封装结构及制造方法
本发明涉及微电子封装领域，具体的公开了一种叠层封装结构及制造方法，所述叠层封装结构包括多个层叠的封装衬底及每层封装衬底上装载的至少一个半导体芯片；所述半导体芯片与其所在层的封装衬底之间为电连接；所述每层封装衬底上设有至少...
马盛林王贯江朱韫晖孙新陈兢缪旻金玉丰
文献传递
一种三维集成结构及其生产方法
本发明公开了一种三维集成结构及其生产方法，属于微机械电子系统与集成电路加工领域。所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个TSV通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，...
马盛林孙新朱韫晖金玉丰缪旻
一种石墨烯垂直互连结构的制作方法
本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法，首先在基片上制作垂直孔；然后在所述基片的表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面；然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构，可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆...
陈兢朱韫晖马盛林孙新方孺牛缪旻金玉丰
文献传递
三维垂直互联结构及其制作方法
本发明公开了一种三维垂直互联结构及其制作方法。结构包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑，...
马盛林朱韫晖孙新金玉丰缪旻
文献传递
一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔及其制备方法
本发明公开了一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔及其制备方法，属于微电子封装技术领域。该垂直互连过孔的形状为上、下两部分分别为一圆台，中间部分为一圆柱。其制备方法包括，利用带倾角的DRIE工艺、标准DRIE工艺以及DRI...
赵立葳缪旻孙新金玉丰
文献传递
一种硅通孔互连结构的制作方法
本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法，属于微电子封装领域。本方法为：1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆；2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度，并制备所述硅晶圆的硅通孔；3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层；4)在所述...
马盛林王贯江孙新朱蕴晖陈兢缪旻金玉丰
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