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宋哲

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:辽宁大学物理系更多>>
相关领域:电子电信航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 3篇抗辐射
  • 2篇SEU
  • 2篇SOI
  • 2篇SOI材料
  • 1篇终端
  • 1篇终端技术
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准工艺
  • 1篇结终端
  • 1篇结终端技术
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇硅化钛
  • 1篇保护环
  • 1篇PN结
  • 1篇SOI工艺
  • 1篇SOI器件
  • 1篇场板

机构

  • 5篇辽宁大学
  • 2篇东北微电子研...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 5篇宋哲
  • 3篇王莉
  • 2篇永福
  • 2篇石广源
  • 1篇陆剑侠
  • 1篇许仲德
  • 1篇宋文斌
  • 1篇赵贵勇
  • 1篇张丽
  • 1篇王芳

传媒

  • 2篇辽宁大学学报...
  • 1篇微处理机
  • 1篇第八届全国抗...

年份

  • 5篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
SOI自对准硅化钛工艺研究被引量:1
2005年
阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.
石广源王莉宋哲永福张丽王芳
关键词:SOI硅化钛自对准工艺
SEU的二维数值模拟
本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行简要介绍.运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-on-insulation)衬底材料进行CMOSSRAM的SEU(single-eventups...
宋哲王莉陆剑侠许仲德
关键词:SEUSOI材料抗辐射
文献传递
SOI工艺抗辐射加固技术
本文阐述了SOI材料的工作原理和器件特性,对SOI材料的制备方法,SOI材料的性质进行了介绍,对SOI器件的阈值电压、短沟道效应、亚阈值斜率、浮体效应进行了分析.并在此基础上,针对粒子对MOSFET器件产生的影响进行分析...
宋哲
关键词:SOI器件抗辐射加固SOI材料
文献传递网络资源链接
新型PN结终端技术的研究被引量:1
2005年
在场板工作机理的基础上阐述了一种新型的场板和保护环相结合的P-N结终端技术的工作原理.最后讨论了此终端结构的可行性.
石广源永福宋文斌赵贵勇王莉宋哲
关键词:场板保护环结终端技术
SEU的二维数值模拟被引量:1
2005年
本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍。运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single -Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性。
宋哲王莉陆剑侠许仲德
关键词:SOI抗辐射
共1页<1>
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