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王芳
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
东北微电子研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张丽
东北微电子研究所
石广源
辽宁大学物理系
宋哲
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王莉
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永福
辽宁大学物理系
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年份
1篇
2005
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SOI自对准硅化钛工艺研究
被引量:1
2005年
阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.
石广源
王莉
宋哲
永福
张丽
王芳
关键词:
SOI
硅化钛
自对准工艺
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