张永平
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：上海师范大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划上海市教育委员会创新基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响被引量：2
- 2015年
- 采用快速热退火(rapid thermal annealing,RTA)法和脉冲激光辐照退火(laser spark annealing,LSA)法,在n型4H-SiC的Si面制备出Ni电极欧姆接触.经传输线法测得RTA样品与LSA样品的比接触电阻分别为5.2×10^(-4)Ω·cm^2,1.8×10^(-4)Ω·cm^2.使用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱等表征手段,比较了两种退火方式对电极表面形貌、电极/衬底截面形貌和元素成分分布、SiC衬底近表层碳团簇微结构的影响.结果表明,相比于RTA,LSA法制备出的欧姆接触在电极表面形貌、界面形貌、电极层组分均匀性等方面都具有明显优势,有望使LSA成为一种非常有潜力的制备欧姆接触的退火处理方法.
- 卢吴越张永平陈之战程越谈嘉慧石旺舟
- 关键词：SIC欧姆接触快速热退火
- 锌铬尖晶石水热合成及形成机理研究
- 2014年
- 采用水热法制备了纳米ZnCr2O4晶粒。采用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和红外光谱仪(IR)研究了晶粒的物相演化规律。结果表明,在180℃温度下可制备2 nm的ZnCr2O4晶粒。ZnCr2O4晶粒的形成遵循溶解-结晶机制,铬的三聚体和含有羟基的四配位锌的聚集体形成与Al13结构相同的ZnCr12,这些ZnCr12晶核经过进一步缩聚反应形成ZnCr2O4晶粒。
- 陈之战张永平卢吴越程越谈嘉慧
- 关键词：水热法AL13
- 激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响
- 2015年
- 采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7mJ增加到43.9mJ时,光导开关的导通电阻从295Ω降低到197Ω。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。
- 张永平陈之战石旺舟章林文刘毅谌怡
- 关键词：光导开关导通电阻
- n型Si侧蚀的电学机理研究
- 2014年
- 本文利用电化学刻蚀的方法在n型Si衬底上制备了不同形貌的多孔硅。扫描电子显微镜观察发现不同刻蚀条件制备的样品呈现腐蚀程度不同但腐蚀方向相同的侧向腐蚀。实验和理论分析表明适当电注入的空穴浓度是形成光滑孔壁的关键,过量注入的空穴在侧壁形成耗尽层,促使体硅少子漂移是侧向腐蚀的主要原因。
- 谈嘉慧陈之战张永平何鸿
- 关键词：多孔硅控制方法
- 光刻图形转移技术
- 2014年
- 通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过实验和分析得出了可靠的技术方案.
- 张永平程越卢吴越谈嘉慧赵高杰刘益宏孙玉俊陈之战石旺舟李万荣陆逸枫
- 关键词：光刻光刻工艺光刻胶
