程越
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响被引量：2
- 2015年
- 采用快速热退火(rapid thermal annealing,RTA)法和脉冲激光辐照退火(laser spark annealing,LSA)法,在n型4H-SiC的Si面制备出Ni电极欧姆接触.经传输线法测得RTA样品与LSA样品的比接触电阻分别为5.2×10^(-4)Ω·cm^2,1.8×10^(-4)Ω·cm^2.使用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱等表征手段,比较了两种退火方式对电极表面形貌、电极/衬底截面形貌和元素成分分布、SiC衬底近表层碳团簇微结构的影响.结果表明,相比于RTA,LSA法制备出的欧姆接触在电极表面形貌、界面形貌、电极层组分均匀性等方面都具有明显优势,有望使LSA成为一种非常有潜力的制备欧姆接触的退火处理方法.
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- 关键词：SIC欧姆接触快速热退火
- 锌铬尖晶石水热合成及形成机理研究
- 2014年
- 采用水热法制备了纳米ZnCr2O4晶粒。采用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和红外光谱仪(IR)研究了晶粒的物相演化规律。结果表明,在180℃温度下可制备2 nm的ZnCr2O4晶粒。ZnCr2O4晶粒的形成遵循溶解-结晶机制,铬的三聚体和含有羟基的四配位锌的聚集体形成与Al13结构相同的ZnCr12,这些ZnCr12晶核经过进一步缩聚反应形成ZnCr2O4晶粒。
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- 关键词：水热法AL13
- 光刻图形转移技术
- 2014年
- 通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过实验和分析得出了可靠的技术方案.
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- 关键词：光刻光刻工艺光刻胶
