杨彦楠
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InAlN材料表面态和深能级特性研究
- InxAl1-xN/GaN宽禁带半导体异质结构材料体系由于其具有良好的电子特性、耐高温及高频特性被广泛应用于高功率、高频器件的制备，深受国际上的关注。因此，InxAl1-xN/GaN异质结构材料与器件的研究已成为当前研究...
- 杨彦楠
- 关键词：表面态半导体材料
- InAlN材料表面态性质研究被引量：2
- 2013年
- 运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验结果表明,随着In组分增加,肖特基势垒高度逐渐降低,表面态密度依次增加.变频C-V特性还表明,随着测试频率降低,C-V曲线有序地朝正电压方向移动,该趋势随着In组分的增加而变得更加明显,这可能归结于InAlN表面态的空穴发射.AFM表面形貌研究揭示InAlN表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因.
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- 关键词：表面态电流电压特性电压特性
- InAlN/GaN MOS结构中深能级以及界面性质的研究
- InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为高功率、高频器件被广泛关注。用InAlN层来替代AlGaN/GaN结构中AlGaN势垒层,HEMTs将提供更高浓度的电荷,这是由于InAlN比AlGaN具有更大的自发极...
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- 关键词：金属氧化物半导体晶格匹配
- 文献传递
