汤三奇
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究
- 2014年
- 采用近空间升华法在GaAs(100)衬底上外延生长CdZnTe单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS的结果表明,CdZnTe外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀;红外透过成像分析的结果表明,CdZnTe厚膜中无明显的Te夹杂相;X射线摇摆曲线、PL谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的CdZnTe外延膜;电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。
- 蔺云介万奇查钢强张昊周岩汤三奇李嘉伟
- 关键词：PL谱应变弛豫
- 在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法
- 本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯...
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- 文献传递
- 含氧空位单斜相HfO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对含氧空位单斜相HfO2的电子结构和光学性质进行了计算。计算结果表明,氧空位缺陷的存在使得HfO2带隙中出现了缺陷态,主要由最近邻Hf原子的5d态组成。随后,结合计算的电子态密度分析了氧空位对HfO2材料介电常数和吸收系数的影响。氧空位存在时,在380～220 nm的紫外波段内出现了较弱的吸收峰。
- 査钢强汤三奇谭婷婷
- 关键词：氧空位光学性质
- 在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法
- 本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯...
- 査钢强李嘉伟李颖锐曹昆席守志蔺云汤三奇介万奇
