査钢强
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 含氧空位单斜相HfO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对含氧空位单斜相HfO2的电子结构和光学性质进行了计算。计算结果表明,氧空位缺陷的存在使得HfO2带隙中出现了缺陷态,主要由最近邻Hf原子的5d态组成。随后,结合计算的电子态密度分析了氧空位对HfO2材料介电常数和吸收系数的影响。氧空位存在时,在380～220 nm的紫外波段内出现了较弱的吸收峰。
- 査钢强汤三奇谭婷婷
- 关键词：氧空位光学性质
- EPG 535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究被引量：1
- 2011年
- 采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气气压为1.30 Pa、氧气流量为40 cm3/min,光刻胶达到最大刻蚀速率;随着RF功率降低,刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为:RF功率40 W、氧气气压1.30 Pa、氧气流量40 cm3/min。
- 任洁傅莉孙玉宝査钢强
- 关键词：EPG刻蚀速率
- 温度梯度溶液法生长ZnTe晶体时生长界面的优化设计被引量：4
- 2017年
- 为了优化用温度梯度溶液法(TGSG)生长ZnTe晶体时的生长界面,设计了一种由莫来石圆筒及其内部的圆柱形石墨芯组成的安瓿支撑结构。用有限元的方法数值模拟了这种支撑结构对生长过程中各种传输现象及生长界面形貌的影响。模拟结果显示,晶体生长开始时,溶液内存在上下两个顺时针方向的涡流。随后,靠近生长界面的涡流很快消失,远离生长界面的涡流逐渐缩小,并向溶液顶部移动。生长界面前的对流消失后,ZnTe溶质以扩散形式向生长界面传输。生长界面最开始为凸界面,待生长至晶锭总长度的1/3处时转为平直界面,之后转为凹界面。生长界面深度始终明显小于未采用本支撑结构时的生长界面,也没有出现生长界面的分段现象。这样的生长界面将有利于提高ZnTe晶体的单晶率及结晶质量。
- 殷利迎介万奇王涛周伯儒杨帆査钢强
- 关键词：ZNTE晶体生长数值模拟
- CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺被引量：1
- 2010年
- 本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。
- 孙玉宝傅莉任洁査钢强
- 关键词：CDZNTE晶片表面性能
- 在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法
- 本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯...
- 査钢强李嘉伟李颖锐曹昆席守志蔺云汤三奇介万奇
- 文献传递
- 在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法
- 本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯...
- 査钢强李嘉伟李颖锐曹昆席守志蔺云汤三奇介万奇
- Cr2＋：ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能被引量：3
- 2011年
- 采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度。荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm;室温荧光寿命为5.52×10-6s。数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18 cm2和2.3×10-18 cm2。
- 刘长友介万奇张滨滨査钢强王涛谷智
- 关键词：硒化锌
- 近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究
- 2012年
- 采用近空间升华法在FTO玻璃衬底上制备CdZnTe多晶厚膜,并采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光谱仪、I-V测试仪等对CdZnTe厚膜的表面形貌、成分、结构以及光电性能进行分析表征。结果表明,所制备的CdZnTe膜均匀致密,随生长时间的延长,晶粒尺寸明显增大;不同厚度的CdZnTe膜均表现出沿(111)晶面的择优生长;CdZnTe厚膜的禁带宽度在1.53～1.56eV之间;电阻率在1010Ω.cm数量级,具有较好的光电响应,试制的薄膜探测器可用作计数型探测器。
- 苏虹査钢强高俊宁介万奇
- 关键词：光电性能
- 碲锌镉像素探测器的封装方法
- 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器的封装方法，用于解决现有探测器的封装方法实用性差的技术问题。技术方案是采用具有很好连接性能并保证不破坏CZT晶片的聚合物导电银胶进行连接。导电银胶选用微米级片状银粉作为导电填料，环氧树脂和...
- 査钢强王闯齐阳赵清华杨波李利娜介万奇
- 文献传递
- CSS法制备CdZnTe薄膜时衬底温度的影响规律
- 2011年
- 采用近空间升华法(close-spaced sublima-tion,CSS),以CdZnTe化合物粉料为原料制备了CdZnTe薄膜,采用XRD、SEM、紫外光谱仪等对其进行了性能表征,并研究了不同生长温度对薄膜生长速率、结构、Zn含量和光学特性的影响规律。研究结果表明,薄膜的生长速率随着生长温度的升高而增大,且温度>528℃时生长速率迅速增大;不同温度下制备的CdZnTe薄膜结构均为立方相,且都表现出沿(111)晶面的择优生长,高温时择优取向更强一些;晶粒尺寸随着温度升高而增大,在438℃时颗粒尺寸约为1μm,而568℃时约为20μm;薄膜禁带宽度受温度影响不大,在1.49～1.51eV之间。
- 袁妍妍介万奇高俊宁査钢强
- 关键词：太阳能电池形貌
