孙玉宝
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺被引量：1
- 2010年
- 本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。
- 孙玉宝傅莉任洁査钢强
- 关键词：CDZNTE晶片表面性能
- 在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法
- 本发明公开了一种在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法，用于在在碲锌鎘晶体上制备金电极以及引出线，所述方法首先选择电阻大于10<Sup>9</Sup>Ω的高阻CZT作为电极的CZT基底；然后溅射一层Au膜；蒸镀一层Au膜；然后立...
- 傅莉任洁聂中明孙玉宝
- 文献传递
- 碲锌镉像素探测器电极的钝化方法
- 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器电极的钝化方法，用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化，降低漏电流。所述方法首先采用CdZnTe晶体，进行线切割，研磨、机械抛光、清洗后在2％Br-MeOH中化学抛光，得到待用的CdZnTe晶...
- 傅莉任洁孙玉宝查钢强
- 文献传递
- 在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法
- 本发明公开了一种在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法，用于在在碲锌鎘晶体上制备金电极以及引出线，所述方法首先选择电阻大于10<Sup>9</Sup>Ω的高阻CZT作为电极的CZT基底；然后溅射一层Au膜；蒸镀一层Au膜；然后立...
- 傅莉任洁聂中明孙玉宝
- 文献传递
- EPG 535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究被引量：1
- 2011年
- 采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气气压为1.30 Pa、氧气流量为40 cm3/min,光刻胶达到最大刻蚀速率;随着RF功率降低,刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为:RF功率40 W、氧气气压1.30 Pa、氧气流量40 cm3/min。
- 任洁傅莉孙玉宝査钢强
- 关键词：EPG刻蚀速率
- 碲锌镉像素探测器电极的钝化方法
- 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器电极的钝化方法，用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化，降低漏电流。所述方法首先采用CdZnTe晶体，进行线切割，研磨、机械抛光、清洗后在2％Br-MeOH中化学抛光，得到待用的CdZnTe晶...
- 傅莉任洁孙玉宝查钢强
