任洁
- 作品数：12 被引量：5H指数：1
- 供职机构：西北工业大学材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺被引量：1
- 2010年
- 本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。
- 孙玉宝傅莉任洁査钢强
- 关键词：CDZNTE晶片表面性能
- EPG 535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究被引量：1
- 2011年
- 采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气气压为1.30 Pa、氧气流量为40 cm3/min,光刻胶达到最大刻蚀速率;随着RF功率降低,刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为:RF功率40 W、氧气气压1.30 Pa、氧气流量40 cm3/min。
- 任洁傅莉孙玉宝査钢强
- 关键词：EPG刻蚀速率
- 在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法
- 本发明公开了一种在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法，用于在在碲锌鎘晶体上制备金电极以及引出线，所述方法首先选择电阻大于10<Sup>9</Sup>Ω的高阻CZT作为电极的CZT基底；然后溅射一层Au膜；蒸镀一层Au膜；然后立...
- 傅莉任洁聂中明孙玉宝
- 文献传递
- CdZnTe表面处理对其引线超声焊接质量的影响
- 采用扫描电镜及EDS测试研究了高电阻CdZnTe金电极与外引线的超声焊接工艺,探讨了CdZnTe表面处理工艺,接触电极厚度及焊接参数对引线超声焊接质量的影响规律.研究结果表明,经机械抛光表面处理的CdZnTe晶片,其金电...
- 聂中明傅莉任洁徐聪
- 关键词：CDZNTE晶片超声焊接表面处理
- 文献传递
- 碲锌镉像素探测器电极的钝化方法
- 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器电极的钝化方法，用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化，降低漏电流。所述方法首先采用CdZnTe晶体，进行线切割，研磨、机械抛光、清洗后在2％Br-MeOH中化学抛光，得到待用的CdZnTe晶...
- 傅莉任洁孙玉宝查钢强
- 文献传递
- CdZnTe表面处理对其引线超声焊接质量的影响
- 2008年
- 采用扫描电镜及EDS测试研究了高电阻CdZnTe金电极与外引线的超声焊接工艺,探讨了CdZnTe表面处理工艺、接触电极厚度及焊接参数对引线超声焊接质量的影响规律。研究结果表明,经机械抛光表面处理的CdZnTe晶片,其金电极与外引线间容易实现超声焊接;CdZnTe电极厚度与引线焊合率之间呈抛物线关系,获得最佳焊接质量的电极厚度为180nm左右。楔入压力和焊接功率是影响CZT金电极与引线焊接质量的重要因素,当焊接功率为2W、焊接压力为60×10-3kg、焊接时间20ms和烧球强度1.5W时,易获得良好的CdZnTe金电极与引线焊接接头。
- 聂中明傅莉任洁徐聪
- 关键词：CDZNTE晶片超声焊接表面处理
- 在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法
- 本发明公开了一种在碲锌鎘晶体上制备金电极的方法，用于在在碲锌鎘晶体上制备金电极以及引出线，所述方法首先选择电阻大于10<Sup>9</Sup>Ω的高阻CZT作为电极的CZT基底；然后溅射一层Au膜；蒸镀一层Au膜；然后立...
- 傅莉任洁聂中明孙玉宝
- 文献传递
- 碲锌镉像素探测器电极的钝化方法
- 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器电极的钝化方法，用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化，降低漏电流。所述方法首先采用CdZnTe晶体，进行线切割，研磨、机械抛光、清洗后在2％Br-MeOH中化学抛光，得到待用的CdZnTe晶...
- 傅莉任洁孙玉宝查钢强
- An Effective Approach to Improving Cadmium Telluride (111)A Surfaceby Molecular-Beam -Epitaxy Growth of Tellurium Monolayer
- Cadmium telluride(CdTe)is one of the most widely used semiconductors in the zinc-blendⅡ-Ⅵsemiconductor family ...
- 任洁
- 化学抛光对Au/Hg_3In_2Te_6接触特性的影响
- 2012年
- 采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6(简称MIT)表面制备了Au和In金属电极,探讨了MIT晶片的化学抛光工艺对其表面成分偏析和Au/MIT接触特性的影响规律与机制,优化了MIT晶体的化学抛光工艺参数。结果表明,MIT晶片采用5%Br2-C3H7ON溶液化学抛光2 min后,MIT晶片表面元素组分更接近标准计量比,所制备出的Au/MIT接触的反向漏电流最小。
- 王一义傅莉任洁
- 关键词：化学抛光反向漏电流I-V特性
