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王飞

作品数:2 被引量:22H指数:2
供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇修饰
  • 2篇孔结构
  • 1篇疏水
  • 1篇疏水性
  • 1篇微孔
  • 1篇接枝
  • 1篇接枝法
  • 1篇介孔
  • 1篇介孔结构
  • 1篇基团
  • 1篇基团修饰
  • 1篇硅膜
  • 1篇二氧化硅膜
  • 1篇氨丙基
  • 1篇PMOS
  • 1篇表面修饰
  • 1篇丙基

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇王飞
  • 2篇钟振兴
  • 2篇李群艳
  • 2篇聂祚仁
  • 2篇韦奇
  • 1篇于春晓
  • 1篇王艳丽
  • 1篇邹景霞

传媒

  • 1篇化学学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 2篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
碳氟基团修饰的疏水微孔二氧化硅膜的制备与表征被引量:12
2008年
采用三氟丙基三乙氧基硅烷(TFPTES)和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,通过溶胶-凝胶法制备了三氟丙基修饰的SiO2膜材料.利用扫描电镜、N2吸附、红外光谱仪以及视频光学接触角测量仪对膜的断面形貌、孔结构以及疏水性能进行了表征.结果表明,随着三氟丙基三乙氧基硅烷加入量的增大,膜的疏水性逐渐增强,膜的孔结构基本保持不变.当TFPTES/TEOS的物质的量之比达到0.6时,膜对水的接触角达到111.6°±0.5°,膜材料仍保持良好的微孔结构,其孔体积为0.19cm3·g-1,孔径为0.97nm.氢气在修饰后SiO2膜中的输运遵循微孔扩散机理,200℃时膜材料的H2渗透率达到1.18×10-7mol·m-2·Pa-1·s-1,H2/CO2的分离系数达到7.0.
王飞韦奇王艳丽于春晓钟振兴李群艳聂祚仁
关键词:孔结构疏水性
后接枝法合成氨丙基修饰的周期性介孔氧化硅材料被引量:10
2008年
以三氯甲烷为溶剂,氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)为修饰剂通过后接枝法对周期性介孔氧化硅材料(PMOs)进行修饰.通过固态NMR、氮气吸附、元素分析和UV-vis吸光度测试等手段来表征材料.结果表明,氨丙基基团通过共价连接的方式成功修饰到PMOs材料.尽管随着APTMS修饰量的增加,比表面积、孔容和孔径都呈下降趋势,但经25%APTMS修饰的PMOs材料依然具有良好的介孔结构,其表面积为604m^2·g^(-1),孔容为0.62cm^3.g^(-1),孔径狭窄分布在4.5~5.0nm之间.修饰后的PMOs对氯金酸有明显的吸附作用.
钟振兴韦奇王飞李群艳聂祚仁邹景霞
关键词:PMOS表面修饰介孔结构
共1页<1>
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