钟振兴
- 作品数：3 被引量：35H指数：3
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 碳氟基团修饰的疏水微孔二氧化硅膜的制备与表征被引量：12
- 2008年
- 采用三氟丙基三乙氧基硅烷(TFPTES)和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,通过溶胶-凝胶法制备了三氟丙基修饰的SiO2膜材料.利用扫描电镜、N2吸附、红外光谱仪以及视频光学接触角测量仪对膜的断面形貌、孔结构以及疏水性能进行了表征.结果表明,随着三氟丙基三乙氧基硅烷加入量的增大,膜的疏水性逐渐增强,膜的孔结构基本保持不变.当TFPTES/TEOS的物质的量之比达到0.6时,膜对水的接触角达到111.6°±0.5°,膜材料仍保持良好的微孔结构,其孔体积为0.19cm3·g-1,孔径为0.97nm.氢气在修饰后SiO2膜中的输运遵循微孔扩散机理,200℃时膜材料的H2渗透率达到1.18×10-7mol·m-2·Pa-1·s-1,H2/CO2的分离系数达到7.0.
- 王飞韦奇王艳丽于春晓钟振兴李群艳聂祚仁
- 关键词：孔结构疏水性
- 后接枝法合成氨丙基修饰的周期性介孔氧化硅材料被引量：10
- 2008年
- 以三氯甲烷为溶剂,氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)为修饰剂通过后接枝法对周期性介孔氧化硅材料(PMOs)进行修饰.通过固态NMR、氮气吸附、元素分析和UV-vis吸光度测试等手段来表征材料.结果表明,氨丙基基团通过共价连接的方式成功修饰到PMOs材料.尽管随着APTMS修饰量的增加,比表面积、孔容和孔径都呈下降趋势,但经25%APTMS修饰的PMOs材料依然具有良好的介孔结构,其表面积为604m^2·g^(-1),孔容为0.62cm^3.g^(-1),孔径狭窄分布在4.5～5.0nm之间.修饰后的PMOs对氯金酸有明显的吸附作用.
- 钟振兴韦奇王飞李群艳聂祚仁邹景霞
- 关键词：PMOS表面修饰介孔结构
- 高度有序介孔氧化硅材料SBA-15：高浓度氨基官能化及氨基及氨基团的可利用性(英文)被引量：13
- 2008年
- 采用简单的方法合成高浓度氨基修饰的高度有序氧化硅材料并深入研究氨基官能化材料的孔结构以及氨基的存在状态和可利用性。结果表明,氨基基团共价连接到SBA-15的孔表面,即使初始合成体系中的APTES(氨丙基三乙氧基硅烷)浓度高达30mol%时材料依然保持高度的有序性。合成体系中APTES浓度为20%的样品还保持良好的介孔结构,比表面积为680m2.g-1,孔容为0.89cm3.g-1,此介孔结构中的氨基官能团对镍离子表现出很强的亲和力,Ni2+的吸附量高达1.88mmol.g-1,相比之下未官能化的SBA-15对Ni2+没有吸附作用。当初始合成体系中APTES的浓度进一步增大到30%时,修饰到介孔氧化硅材料的氨基含量也随之增大,但由于材料的孔隙度急剧降低,这些氨基的可利用性也降低。
- 韦奇钟振兴聂祚仁陈慧巧李群艳李从举
- 关键词：氨基孔结构金属离子吸附
