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邹昭伟

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇注入机
  • 2篇离子注入
  • 2篇离子注入机
  • 1篇灯丝
  • 1篇等离子体
  • 1篇阳极
  • 1篇兆声清洗
  • 1篇质心
  • 1篇深槽
  • 1篇图形发生器
  • 1篇离子
  • 1篇离子源
  • 1篇介质隔离
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘子
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光
  • 1篇激光图形发生...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体设备

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 4篇邹昭伟
  • 2篇刘玉奎
  • 2篇印子华
  • 2篇刘登华
  • 1篇刘勇
  • 1篇刘道广
  • 1篇刘兴钊
  • 1篇王胜强
  • 1篇邓建国
  • 1篇唐绍根
  • 1篇王保刚

传媒

  • 4篇微电子学

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2005
  • 1篇2004
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
EM-5009B激光图形发生器光栏的修正方法
2005年
激光图形发生器是半导体掩膜制版的主要设备之一,它具有精度高、结构复杂、操作简单和生产效率高等特点,但是,其光栏精度对加工的版图精度有很大的影响。文章根据光栏的结构原理和实际应用,详细阐述了EM-5009B激光图形发生器光栏的修正方法。
邓建国刘玉奎印子华邹昭伟
关键词:半导体设备激光图形发生器
离子源灯丝绝缘子的优化设计
2005年
通过对离子注入机离子源灯丝绝缘子的结构、尺寸、实际工作效果等方面的分析,提出了一种注入机离子源灯丝绝缘子的优化设计。该方案减少了离子源因绝缘效果不良引起的系统工作不稳定故障,灯丝使用寿命延长至50 h以上。
刘登华刘道广刘兴钊刘玉奎印子华邹昭伟王保刚
关键词:离子注入机离子源等离子体灯丝阳极
一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离工艺被引量:1
2004年
 介绍了一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离(DTI)工艺。该工艺采用BOSCH刻蚀、兆声清洗、多晶硅回填、刻蚀平坦化等技术,制作流程简单。其介质隔离击穿电压可以根据电路的需要进行调整,并可根据氧化层厚度进行预测。其介质隔离漏电流极低。
刘勇邹昭伟王胜强叶兴耀
关键词:深槽介质隔离SOI兆声清洗
用于离子注入机剂量控制器的质心修正算法
2019年
针对圆盘式全机械扫描注入机,分析了传统束斑中心算法的缺陷和问题,提出质心的概念来表征束斑的分布,并提出了一种用于注入机剂量控制器的质心修正算法。对这两种算法进行分析、仿真和验证。结果表明,采用质心修正算法后,有效解决了束斑的不同分布对注入剂量精度、片间均匀性和批次间重复性的影响。
唐绍根李海燕邹昭伟刘登华
关键词:离子注入机
共1页<1>
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