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陈素华

作品数：5 被引量：8H指数：2
供职机构：大连理工大学电子科学与技术学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划辽宁省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇4H-SIC
  • 3篇电阻
  • 3篇碳化硅
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇比接触电阻
  • 2篇退火
  • 1篇低温退火
  • 1篇电子谱
  • 1篇碳化钛
  • 1篇退火研究
  • 1篇氢等离子体
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇界面过渡区
  • 1篇界面态
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇比接触电阻率
  • 1篇N型
  • 1篇SIC
  • 1篇SIO

机构

  • 5篇大连理工大学

作者

  • 5篇陈素华
  • 3篇马继开
  • 3篇王海波
  • 3篇王德君
  • 3篇赵亮
  • 2篇朱巧智
  • 1篇秦福文
  • 1篇王槿

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
n型4H-SiC欧姆接触的研究
宽带隙半导体SiC是制作高温、高频及抗辐射功率器件的理想材料。欧姆接触问题是宽带隙半导体器件研究中的技术难点。欧姆接触不仅与金属电极材料种类有关，还受半导体表面态的影响。关于如何降低金属电极与半导体的欧姆接触电阻率，本文...
陈素华
关键词：碳化硅欧姆接触比接触电阻
文献传递
用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成被引量：4
2008年
利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较多，除Si^＋成分外，还存在Si^2＋和Si^3＋两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比，指出界面成分可通过合理工艺有效控制，以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。
赵亮王德君马继开陈素华王海波
关键词：4H-碳化硅X射线光电子谱
低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触被引量：2
2008年
实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面，沉积Ti后可直接形成欧姆接触，室温下比接触电阻率ρc为2．25×10^-3Ω·cm^2（ρc由圆形传输线模型CTLM测得），随着合金温度的升高，其欧姆特性逐渐增强，400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2．07×10^-4Ω·cm^2。采用X射线衍射（XRD）确定金属／n-SiC界面反应时形成的相，以分析电学性质与微观结构间的联系。最后讨论了低温欧姆接触的形成机制。
陈素华王海波赵亮马继开
关键词：氢等离子体欧姆接触比接触电阻率
SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究被引量：3
2008年
采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的可靠性．结果显示，高温氧化形成的SiO2／4H-SiC（0001）界面，同时存在着Si^，Si^2＋，Si^3＋ 3种低值氧化物，变角分析表明，一个分层模型适合于描述该过＋渡区的成分分布．建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度．结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压（C-V）测试分析，揭示了过渡区成分与界面态的直接关系．
王德君赵亮朱巧智马继开陈素华王海波
关键词：界面态
TiC/n型4H-SiC欧姆接触的低温退火研究
2009年
利用电子回旋共振(ECR)氢等离子体处理n型4H-SiC(0.5～1.5×1019cm-3)表面,采用溅射法制备碳化钛(TiC)电极,并在低温(<800℃)条件下退火。直线传输线模型(TLM)测试结果表明,TiC电极无需退火即可与SiC形成欧姆接触,采用ECR氢等离子体处理能明显降低比接触电阻,并在600℃退火时获得了最小的比接触电阻2.45×10-6Ω.cm2;当退火温度超过600℃时,欧姆接触性能开始退化,但是比接触电阻仍然低于未经氢等离子体处理的样品,说明ECR氢等离子体处理对防止高温欧姆接触性能劣化仍有明显的效果。利用X射线衍射(XRD)分析了不同退火温度下TiC/SiC界面的物相组成,揭示了电学特性与微观结构的关系。
王德君王槿陈素华朱巧智秦福文
关键词：碳化硅碳化钛欧姆接触比接触电阻
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