陈莉芝
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 离子束改性聚酰亚胺微细结构的Raman光谱研究
- 1992年
- 本文报道了120 keV B^+和170keV N^+注入聚酰亚胺(polyimide)所得改性层的精细结构.Raman光谱的分析结果表明,聚酰亚胺改性层中的碳主要以石墨和无定形两种形态存在,而它们的相对含量以及石墨微粒的大小要取决于剂量、束流强度及靶温等注入参数.本文报道的十几种离子改性聚酰亚胺中的石墨微粒尺度为20-50(?).我们还用RBS分析了改性过程中改性层化学组分的变化,这同XPS对于改性过程中各种官能团演化的研究结合在一起,支持了Raman光谱关于改性层微观结构的结论.此外我们还研究了电阻随温度的变化规律,确定了这种材料的lnρ与T^(-1/2)有很好的线性关系.这同Sheng和Abels研究过导电机制的一种非均匀系统的ρ-T关系完全一致,从而为Raman光谱结果建立起来的二者在结构上的相似性提供了进一步的证据.
- 徐兴龙许东林梓鑫杜根娣周祖尧杨石奇陈莉芝夏冠群邹世昌
- 关键词：离子注入聚酰亚胺光谱
- 硅中离子注入纳米孔层的形成及吸杂效应研究
- 张苗林成鲁宋志棠多新中黄继颇陈莉芝倪如山
- 开展了SOI 材料中纳米孔吸杂的研究，利用H+、He+ 注入将纳米孔引入到SOI 氧化埋层下面，对顶层硅中的金属杂质进行吸除。结果：发现了H+注入在不引起表层剥离情况下形成纳米孔层的剂量窗口，大剂量He+注入可在硅中产生...
- 关键词：
- 关键词：吸杂SOI纳米孔
- 金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究
- 1990年
- 以CW Ar^+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40μm^2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。
- 林成鲁邢昆山陈莉芝许学敏谭松生邹世昌
- 关键词：激光非晶硅再结晶SOM
- SOI材料中隐埋纳米空腔层的形成及其吸杂效应
- 张苗宋志棠陈莉芝多新中黄继颇
- 本研究利用氢、氦离子注入与退火将纳米空腔引入到SOI氧化埋层的下面，对顶层硅中的过渡金属杂质进行吸除。取得的主要成果有：拓展研究了氢、氦离子共注入形成纳米空腔的规律、纳米气泡在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响。氢、氦...
- 关键词：
- 关键词：SOI吸杂
- 激光再结晶SOM材料及压力传感器研究
- 1989年
- 用CW Ar^+激光对B^+注入(60keV,5×10^(15)cm^(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm×40μm,且杂质分布均匀,电学性质大大提高。用该材料制备的桥路压力传感器,灵敏度为6mV/V bar,具有良好的输出线性度。
- 邢昆山许学敏林成鲁陈莉芝谭松生邹世昌
- 关键词：传感器SOM
- 氧分压对动态离子束辅助沉积合成的氧化钛膜的影响被引量：6
- 2001年
- 采用离子束增强沉积的方法，改变氧分压，在硅基体表面制备出了不同组分及不同取向的 氧化钛薄膜。采用 XRD，掠角衍射以及 XPS分析方法对薄膜的成分、结构和取向进行了分析，并 通过 RBS分析计算出了薄膜的 O/Ti比。实验结果发现，所制备的氧化钛薄膜为具有一定择优取 向的多晶膜，薄膜内 TiO、 Ti2O3和 TiO2共同存在。当氧分压低于 8.4× 10-4 Pa时，氧化钛薄膜的 成分以 TiO为主，且 TiO的取向随氧分压的增加从（ 220）向（ 031）转变，氧分压对薄膜取向的影响 较大。当氧分压高于 8.6× 10-4 Pa时，氧化钛薄膜的成分以具有（ 100）择优取向的金红石型 TiO2 为主，含有少量其他结构的 TiO2和低价 Ti，其成分及取向相对较为稳定，对氧分压的变化不敏感。
- 王向晖张峰李昌荣郑志宏陈莉芝王惠民柳襄怀
- 关键词：氧化钛离子束增强沉积氧分压
