周东
- 作品数：68 被引量：62H指数：3
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金中国科学院重点部署项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学医药卫生更多>>
- 一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法
- 本发明提供了一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法。该方法涉及装置是由高低温箱和样品测试板两部分组成。将置于高低温箱中的样品测试板接通电源，然后调节高低温箱内的温度调节模块，达到目标温度后，保证测试样品与高低温箱...
- 文林刘炳凯李豫东周东冯婕郭旗
- 用于光电成像器件在轨运行后光电参数恢复的方法及系统
- 本公开提供一种用于光电成像器件在轨运行后光电参数恢复的方法，光电成像器件在轨运行后受到高能粒子的辐射损伤，包括：S1，将所述光电成像器件置于表面覆有遮光单元的暗室腔体中；S2，利用温控系统调节所述暗室腔体至预设温度；所述...
- 李豫东杨智康文林冯婕周东刘炳凯郭旗
- PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的^(60)Coγ辐照高温退火评估方法
- 2011年
- 选用了三种型号的PNP输入双极运算放大器,在正偏和零偏状态下进行了辐照实验,由此对高剂量率辐照后高温退火加速评估方法进行了探索。结果表明,辐照后高温退火的实验结果乘以一定的倍数因子,便可较好地模拟PNP输入双极运算放大器的低剂量率辐照损伤,根据曲线的变化规律可以较快地鉴别器件是否存在低剂量率辐射损伤增强效应。
- 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东
- 关键词：双极运算放大器低剂量率辐射损伤增强效应
- 一种基于星对角距平均测量误差的星敏感器辐射损伤外场评估方法
- 本发明涉及一种基于星对角距平均测量误差的星敏感器辐射损伤外场评估方法，该方法涉及装置由样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、成像镜头、直流电源、计算机和转台组成，调整转台拍摄非天顶方向星区，采取星图进行星点...
- 冯婕王海川李豫东文林周东郭旗
- γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究被引量：2
- 2019年
- 针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-γ射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较γ辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了γ辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明:在总剂量为7 Mrad(Si)照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77 K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于γ辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。
- 王志铭周东郭旗李豫东文林马林东张翔蔡毓龙刘炳凯
- 关键词：暗电流
- 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法被引量：2
- 2013年
- 空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过不同的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数;建立预测电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示,物理应力实验与数学回归分析结合的筛选方法减小了实验值与预测值的偏差,提高了预估方程的拟合优度和显著程度,使预估方程处于置信区间。
- 周东郭旗任迪远李豫东席善斌孙静文林
- 关键词：大规模集成电路
- CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究被引量：2
- 2017年
- 对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致。辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷。
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- 关键词：CMOS图像传感器高能粒子
- 基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法被引量：2
- 2017年
- 根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率。该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义。
- 文林李豫东冯婕郭旗郭旗何承发周东张兴尧于新
- 关键词：宇宙射线高能粒子电荷耦合器件
- 1 MeV电子辐照对InGaAsP/InGaAs双结电池电学参数的影响
- 2017年
- 为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1 MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况。结果表明:随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构。
- 玛丽娅.黑尼赵晓凡李豫东莫敏.赛来周东艾尔肯.阿不都瓦衣提郭旗
- 关键词：量子效率电子辐照
- 3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究被引量：1
- 2017年
- 针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3 MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量。结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的。通过等效^(60)Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的。高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试。结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退。利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式。根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据。
- 于新郭旗李豫东何承发文林张兴尧周东
- 关键词：DC/DC退火
