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康洪亮

作品数:14 被引量:5H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域:电子电信化学工程金属学及工艺建筑科学更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇单晶
  • 4篇倒角
  • 3篇单晶片
  • 3篇砂轮
  • 3篇晶片
  • 3篇硅片
  • 2篇翘曲度
  • 2篇滑移线
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅单晶片
  • 2篇厚层
  • 2篇APCVD
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇电解
  • 1篇电解磨削
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇正交

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 12篇康洪亮
  • 2篇佟丽英
  • 2篇于妍
  • 2篇张伟才
  • 2篇陈建跃
  • 2篇张伟才
  • 2篇赵权
  • 1篇吕菲
  • 1篇高丹
  • 1篇张贺强
  • 1篇陆峰
  • 1篇田原
  • 1篇高丹

传媒

  • 6篇电子工业专用...
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇中国新技术新...
  • 1篇科技视界
  • 1篇中国科技期刊...

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2013
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究被引量:1
2019年
背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析了膜厚均匀性的影响因素和膜表面质量,提出了SiO2膜淀积的工艺条件及背封前清洗方法。
高丹康洪亮徐强佟丽英
关键词:APCVDSIO2膜
APCVD制备SiOx薄膜工艺研究被引量:1
2020年
简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或浓度的增加,薄膜厚度增加;SiOx的膜厚与化学输入不成正比;最大沉积厚度的O2∶SiH4比与硅烷流量无关;薄膜厚度随带速的增加而减小,薄膜厚度与带速并不成正比,相同工艺温度和硅烷输入下薄膜厚度与带速的乘积是一个常数。
云娜康洪亮高丹佟丽英
关键词:常压化学气相沉积硅烷膜厚沉积温度
GaAs多线切割切片翘曲度的有限元分析
2022年
砷化镓切片的翘曲度是多线切割过程中必须控制的质量因素。通过建立多线切片过程的顺序耦合热应变分析有限元模型,以切片表面节点位移反映切片翘曲度。首先建立温度场三维有限元模型,模拟切割过程温度场分布;然后以温度场结果为边界条件,建立热应变分析模型;按照不同的张紧力、进给速度、钢线速度等工艺参数组合进行仿真模拟,计算出相应的翘曲度值,研究翘曲度与各工艺参数之间的关系。结果表明:张紧力增加,翘曲度减小;进给速度减小,翘曲度减小;线速度减小,翘曲度减小。
康洪亮
关键词:砷化镓翘曲度有限元分析
酸腐蚀工艺对硅片表面粗糙度的影响
2024年
为了缩减工艺成本,提高硅片表面光泽度,降低表面粗糙度,降低表面金属含量,提高生产效率,对HNO_(3)∶HF∶CH_(3)COOH混合酸体系的反应机理进行了分析,通过改变酸腐蚀去除量,腐蚀液温度等工艺参数可有效控制超薄硅片腐蚀反应速度,降低表面粗糙度,提高表面光泽度。发现去除量达到100μm以后,表面粗糙度可达到0.065μm,同一条件下,腐蚀液温度为45℃时,表面粗糙度最小,反射率最高。
于妍康洪亮张贺强田原
关键词:单晶硅片酸腐蚀粗糙度
VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究
2024年
研究了半绝缘GaAs的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的TTV和粗糙度比较稳定。
于妍吕菲李纪伟康洪亮
关键词:半绝缘碱性腐蚀
半导体材料倒角边缘磨削用金刚石砂轮的组成及研究
2016年
在半导体晶圆的加工工艺中,用砂轮进行边缘磨削是非常重要的一环。包括滚圆磨削、倒角边缘磨削等。本文主要研究的是倒角边缘磨削用的金刚石砂轮。倒角用金刚石砂轮由基体、磨料和结合剂经一定的制造工艺加工而成。决定砂轮磨削性能的因素有:磨料种类、结合剂类型、粒度、硬度、集中度、组织等。砂轮的制造工艺有烧结砂轮和电镀砂轮。
陆峰康洪亮张伟才李聪陶术鹤
关键词:磨料结合剂
影响硅片倒角加工效率的工艺研究被引量:2
2015年
本文通过分析倒角边缘磨削原理,利用不同尺寸的晶圆,不同的倒角吸盘转速,不同甩干程序对晶片进行倒角程序加工并统计其加工时间,进而分析不同加工条件对倒角边缘磨削加工效率的影响,从而进行最大的改善、优化和提升。
康洪亮陶术鹤张伟才
一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法
本发明涉及一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法。砂轮粗倒角槽直径比晶片厚度小120~150μm,半角度18~22°,深度1000±100μm,金刚石粒度600~1000#;精倒角槽直径比晶片厚度小160~180...
张伟才陶术鹤陈建跃康洪亮赵权
文献传递
IC级晶锭游离磨料电解磨削多线切割工艺(FAEMS)研究被引量:1
2017年
本文简单的介绍IC级晶锭FAEMS的原理,及与FAMS[1]在硅片总厚度差翘曲度表面质量的对比试验,验证加入电解后,FAEMS可以更好的改善切割工艺,提高加工质量和效率。
康洪亮
关键词:电解翘曲度
回收SiC对游离磨料多线切割中几何参数的影响
2019年
单晶硅多线切割过程中,目前已有较多文献对用过砂浆的回收方法进行了研究报道,但关于回收砂浆对硅片几何参数的研究较少。以理论分析为指导,通过实验研究使用回收砂浆对多线切割100mm(4英寸)和150mm(6英寸)硅片表面几何参数(总厚度变化、翘曲度)的影响,验证了回收碳化硅粉可以按一定条件配制切削砂浆,并进行了成本核算,验证适当使用回收碳化硅可满足生产要求,大幅降低成本。
王绍鹏康洪亮
共2页<12>
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